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PDTA115EE115

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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • TRANS PNP W/RES 50V SOT-416
PDTA115EE115 技術(shù)參數(shù)
  • PDTA115EE,115 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):20mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):100k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):100k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 250μA,5mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:150mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SC-75 標準包裝:1 PDTA114YT,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):10 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):47 kOhms 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):100mV @ 250μA,5mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 標準包裝:1 PDTA114YM,315 功能描述:TRANS PNP W/RES 50V SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):10 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):47 kOhms 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):100mV @ 250μA,5mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101,SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:DFN1006-3 基本零件編號:PDTA114 標準包裝:1 PDTA114YE,115 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):10k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):47k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):100mV @ 250μA,5mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:150mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SC-75 標準包裝:1 PDTA114TU,115 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):10 kOhms 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 1mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323-3 標準包裝:1 PDTA115TMB,315 PDTA115TS,126 PDTA115TT,215 PDTA115TU,115 PDTA123EE,115 PDTA123EK,115 PDTA123EM,315 PDTA123EMB,315 PDTA123ES,126 PDTA123ET,215 PDTA123ETVL PDTA123EU,115 PDTA123JE,115 PDTA123JK,115 PDTA123JM,315 PDTA123JMB,315 PDTA123JQAZ PDTA123JS,126
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