PN100_06

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制造商
FAIRCHILD
制造商全稱
Fairchild Semiconductor
功能描述
NPN General Purpose Amplifier

PN100_06 技術參數(shù)

PMZB950UPEYL 功能描述:MOSFET P-CH 20V XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:43pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），2.7W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 500mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DFN1006B-3 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 PMZB950UPELYL 功能描述:MOSFET P-CH 20V 500MA 3DFN1006B 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:43pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 500mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:3-DFN1006B（0.6x1）封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 PMZB790SN,315 功能描述:MOSFET N-CH 60V SGL 3DFN 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:650mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:940 毫歐 @ 300mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.37nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:35pF @ 30V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 供應商器件封裝:3-DFN1006B（0.6x1）標準包裝:1 PMZB670UPE,315 功能描述:MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:680mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.14nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:87pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），2.7W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:850 毫歐 @ 400mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:3-DFN1006B（0.6x1）封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 PMZB600UNEYL 功能描述:MOSFET N-CH 20V XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:600mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.7nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:21.3pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），2.7W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:620 毫歐 @ 600mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DFN1006B-3 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 PN100RM PN10-10F-2K PN10-10F-D PN10-10F-E PN10-10FF-2K PN10-10FF-D PN10-10FF-L PN10-10F-L PN10-10LF-2K PN10-10LF-D PN10-10LF-E PN10-10LF-L PN10-10R-2K PN10-10R-D PN10-10R-E PN10-10R-L PN10-10RN-D PN10-10RX-L