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PSMN2R0-30YL,115

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • PSMN2R0-30YL,115
    PSMN2R0-30YL,115

    PSMN2R0-30YL,115

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場D座16層18B

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 62504

  • NEXPERIA/安世

  • SOT669

  • 22+

  • -
  • 18萬條庫存,一站式配齊

  • PSMN2R0-30YL,115
    PSMN2R0-30YL,115

    PSMN2R0-30YL,115

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    聯(lián)系人:雷小姐

    電話:0755-82788062

    地址:華強(qiáng)北都會(huì)軒4507

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • NEXPERIA/安世

  • SOT669

  • 24+

  • -
  • 原裝正品,可含稅供應(yīng)。品質(zhì)保障

  • PSMN2R0-30YL,115
    PSMN2R0-30YL,115

    PSMN2R0-30YL,115

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人:雷小姐

    電話:0755-2391507123915070(承諾只售原裝正品,終端BOM配單一站式服務(wù))

    地址:華強(qiáng)街道賽格廣場55樓5566室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 86000

  • NEXPERIA/安世

  • SOT669

  • 2020+

  • -
  • ★★★真實(shí)庫存,假一賠十,原廠授權(quán)★★★

  • PSMN2R0-30YL,115
    PSMN2R0-30YL,115

    PSMN2R0-30YL,115

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • PSMN2R0-30YL,115
    PSMN2R0-30YL,115

    PSMN2R0-30YL,115

  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯(lián)系人:李先生

    電話:0755-292759351581559886118576729816

    地址:廣東省 深圳市 福田區(qū) 華強(qiáng)北賽格科技園6C18室

  • 39800

  • NXP

  • SOT-669

  • 新年份

  • -
  • 一級(jí)代理全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)!

  • PSMN2R0-30YL,115
    PSMN2R0-30YL,115

    PSMN2R0-30YL,115

  • 科創(chuàng)特電子(香港)有限公司
    科創(chuàng)特電子(香港)有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907

  • 1500

  • NEXPERIA

  • 主營優(yōu)勢

  • 19+

  • -
  • 100%原裝正品★終端免費(fèi)供樣★

  • 1/1頁 40條/頁 共22條 
  • 1
PSMN2R0-30YL,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET <=30V N CH TRENCHFET
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
PSMN2R0-30YL,115 技術(shù)參數(shù)
  • PSMN2R0-30PL,127 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):117nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):6810pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):211W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2.1 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PSMN2R0-30BL,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):117nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):6810pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):211W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2.1 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN2R0-25YLDX 功能描述:PSMN2R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):34.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):2485pF @ 12V FET 功能:肖特基二極管(體) 功率耗散(最大值):115W (Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2.09 毫歐 @ 25A, 10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN2R0-25MLDX 功能描述:PSMN2R0-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):70A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):34.4nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):2490pF @ 12V FET 功能:肖特基二極管(體) 功率耗散(最大值):74W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2.27 毫歐 @ 25A, 10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引線) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN1R9-40PLQ 功能描述:MOSFET N-CH 40V 150A SOT78 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):150A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):120nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):13200pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):349W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.7 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PSMN2R2-40BS,118 PSMN2R2-40PS,127 PSMN2R4-30MLDX PSMN2R4-30YLDX PSMN2R5-30YL,115 PSMN2R5-60PLQ PSMN2R6-30YLC,115 PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-60PSQ PSMN2R7-30BL,118 PSMN2R7-30PL,127 PSMN2R8-25MLC,115 PSMN2R8-40BS,118 PSMN2R8-40PS,127 PSMN2R8-80BS,118 PSMN2R9-25YLC,115 PSMN2R9-30MLC,115 PSMN3R0-30MLC,115
配單專家

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