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PSMN9R5-30YLC, 115

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PSMN9R5-30YLC, 115 技術(shù)參數(shù)
  • PSMN9R5-100XS,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 44.2A TO220F 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:44.2A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9.6 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:81.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4454pF @ 50V 功率 - 最大值:52.6W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 全封裝，隔離接片 供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PSMN9R5-100PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:89A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:82nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:4454pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:211W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9.6 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PSMN9R5-100BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:89A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:82nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:4454pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:211W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9.6 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN9R1-30YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:57A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:16.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:894pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:52W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9.1 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN9R0-30YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:61A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1006pF @ 12V 功率 - 最大值:46W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK， 電源-SO8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMP-FSBA-1755 PSMP-FSBA-1970 PSMP-FSBA-2380 PSMP-FSBA-2580 PSMP-MSLD-CSB PSMP-MSLD-PCE PSMP-MSLD-PCS PSMP-MSLD-PCSEM PSMP-MSLD-PCT1R PSMP-MSLD-PCT25 PSMP-MSLD-PCT35 PSMP-MSLD-PCTEM PSMP-MSSB-CSB PSMP-MSSB-PCS PSMP-MSSB-PCT1R PSMP-MSSB-PCT35 PSM-P-Y PS-MQX-MAINTMULT
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