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BSZ100N03

配單專家企業(yè)名單
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  • BSZ100N03MSG
    BSZ100N03MSG

    BSZ100N03MSG

  • 深圳市桂鵬科技有限公司
    深圳市桂鵬科技有限公司

    聯(lián)系人：田小姐/高先生/李小姐

    電話：0755-828102988281039882810298

    地址：深圳市羅湖區(qū)寶安南路國(guó)都大廈-國(guó)麗15D（地王大廈周邊）

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 82810298

  • 15+

  • -

  • 深圳現(xiàn)貨★原廠品質(zhì)★提供PCB板配單業(yè)務(wù)

  • BSZ100N03MSGATMA1
    BSZ100N03MSGATMA1

    BSZ100N03MSGATMA1

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：廖R

    電話：13163738578

    地址：龍崗區(qū)坂田五和大道山海大廈c 棟707

  • 20

  • INFINEON

  • C08-場(chǎng)效應(yīng)管

  • -

  • BSZ100N03MSG
    BSZ100N03MSG

    BSZ100N03MSG

  • 深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
    深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司

    聯(lián)系人：陳先生

    電話：0755-83228629

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1002號(hào)賽格廣場(chǎng)45層4503B★公司為一般納稅人，可開(kāi)正規(guī)13%專

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 59990

  • infineon/

  • DFN-83.33

  • 17+

  • -

  • 100%原裝，誠(chéng)信為本，等你咨詢！

  • BSZ100N03MS G
    BSZ100N03MS G

    BSZ100N03MS G

  • 深圳市安博威科技有限公司
    深圳市安博威科技有限公司

    聯(lián)系人：吳

    電話：18320850923

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)1713室

  • 2000

  • INFINEON/英飛凌

  • NA

  • 19+

  • -

  • 訂貨中可預(yù)訂

BSZ100N03 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
BSZ100N03 技術(shù)參數(shù)
  • BSZ099N06LS5ATMA1 功能描述:MV POWER MOS 制造商:infineon technologies 系列:* 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSZ0994NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 13A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:13A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:890pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSZ097N10NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A（Ta），40A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9.7 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 36μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:28nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2080pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ097N04LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Ta），40A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 14μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:24nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1900pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），35W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9.7 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ097N04LS G 功能描述:MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Ta），40A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9.7 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 14μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1900pF @ 20V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ120P03NS3EGATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ123N08NS3 G BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ130N03LS G BSZ130N03LSGATMA1 BSZ130N03MS G BSZ130N03MSGATMA1 BSZ146N10LS5ATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ165N04NS G BSZ165N04NSGATMA1 BSZ16DN25NS3 G BSZ16DN25NS3GATMA1
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