型號: | IDT6116SA35SOB |
廠商: | Integrated Device Technology, Inc. |
英文描述: | CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
中文描述: | 的CMOS靜態(tài)RAM 16K的(2K × 8位) |
文件頁數(shù): | 2/10頁 |
文件大?。?/td> | 91K |
代理商: | IDT6116SA35SOB |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IDT6116SA35SOG | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 24SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP(14x20) 包裝:托盤 |
IDT6116SA35SOG8 | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 24SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP(14x20) 包裝:托盤 |
IDT6116SA35SOI | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 24SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
IDT6116SA35SOI8 | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 24SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
IDT6116SA35TD | 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |