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參數(shù)資料
| 型號： | IDT7006L20G |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 16K X 8 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, CPGA68 |
| 封裝： | 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, CERAMIC, PGA-68 |
| 文件頁數(shù)： | 13/20頁 |
| 文件大小： | 263K |
| 代理商： | IDT7006L20G |
IDT7006S/L
HIGH-SPEED 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
6.07
13
TIMING WAVEFORM OF WRITE WITH PORT-TO-PORT READ AND
BUSY
(M/
S
= V
IH
)
(2,4,5)
TIMING WAVEFORM OF WRITE WITH BUSY
NOTES:
1. tWH must be met for both
BUSY
input (slave) and output (master).
2.
BUSY
is asserted on Port "B" blocking R/
W
"B", until
BUSY
"B" goes High.
3. tWB is only for the 'Slave' Version
.
2739 drw 14
R/
W
"A"
BUSY
"B"
t
WP
t
WB
R/
W
"B"
t
WH
(2)
(3)
(1)
2739 drw 13
t
DW
t
APS
ADDR
"A"
t
WC
DATA
OUT "B"
MATCH
t
WP
R/
W
"A"
DATA
IN "A"
ADDR
"B"
t
DH
VALID
(1)
MATCH
BUSY
"B"
t
BDA
VALID
t
BDD
t
DDD(3)
t
WDD
NOTES:
1. To ensure that the earlier of the two ports wins. t
APS
is ignored for M/
S
=
V
IL (slave).
2.
CE
L
=
CE
R
= V
IL.
3.
OE
= V
IL
for the reading port.
4. If M/
S
= V
IL
(slave),
BUSY
is an input. Then for this example
BUSY
"A"
= V
IH
and
BUSY
"B"
input is shown above.
5. All timing is the same for left and right port. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the port opposite from Port "A".
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7006L20GB | HIGH-SPEED 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7006L20J | HIGH-SPEED 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7006L20JB | HIGH-SPEED 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7006L20PF | HIGH-SPEED 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7006L20PFB | HIGH-SPEED 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT7006L20GB | 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:HIGH-SPEED 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7006L20J | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 20NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT7006L20J8 | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 20NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT7006L20JB | 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:HIGH-SPEED 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7006L20JGI | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 20NS 68PLCC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
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