參數(shù)資料
型號： IDT7024S17JB
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： GIGATRUE 550 CAT PATCH CBL NO BOOT 10FT YW 25 PK
中文描述： 高速4K的× 16 DUAL-PORT靜態(tài)RAM
文件頁數(shù)： 10/20頁
文件大?。?/td> 292K
代理商： IDT7024S17JB
6.15
10
IDT7024S/L
HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE NO. 1, R/
W
CONTROLLED TIMING
(1,5,8)
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE NO. 2,
CE
,
UB
,
LB
CONTROLLED TIMING
(1,5)
2740 drw 10
t
WC
t
AS
t
WR
t
DW
t
DH
ADDRESS
DATA
IN
R/
W
t
AW
t
EW
UB
or
LB
(3)
(2)
(6)
CE
or
SEM
(9)
(9)
R/
W
t
WC
t
HZ
t
AW
t
WR
t
AS
t
WP
DATA
OUT
(2)
t
WZ
t
DW
t
DH
t
OW
OE
ADDRESS
DATA
IN
(6)
(4)
(4)
(7)
UB
or
LB
2740 drw 09
(9)
CE
or
SEM
(9)
(7)
(3)
NOTES:
1. R/
W
or
CE
or
UB
&
LB
must be High during all address transitions.
2. A write occurs during the overlap (t
EW
or t
WP
) of a Low
UB
or
LB
and a Low
CE
and a Low R/
W
for memory array writing cycle.
3. t
WR
is measured from the earlier of
CE
or R/
W
(or
SEM
or R/
W
) going High to the end-of-write cycle.
4. During this period, the I/O pins are in the output state and input signals must not be applied.
5. If the
CE
or
SEM
Low transition occurs simultaneously with or after the R/
W
Low transition, the outputs remain in the High-impedance state.
6. Timing depends on which enable signal is asserted last,
CE
, R/
W
,
UB,
or
LB
.
7. This parameter is guaranted by device characterization, but is not production tested. Transition is measured +/- 500mV steady state with the Output Test
Load (Figure 2).
8. If
OE
is Low during R/
W
controlled write cycle, the write pulse width must be the larger of t
WP
for (t
WZ
+ t
DW
) to allow the I/O drivers to turn off and data
to be placed on the bus for the required t
DW
. If
OE
is High during an R/
W
controlled write cycle, this requirement does not apply and the write pulse
can be as short as the specified t
WP
.
9. To access RAM,
CE
= V
IL
,
UB
or
LB
= V
IL
, and
SEM
= V
IH
. To access Semaphore,
CE
= V
IH
or
UB
&
LB
= V
IH
, and
SEM
= V
IL
. t
EW
must be
met for either condition.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT7024L17JB GIGATRUE 550 CAT PATCH CABLE NO BOOT 15FT YELLOW
IDT7024L55F HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7024L55FB HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7024L55G HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7024L55GB HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT7024S17PF 功能描述:IC SRAM 64KBIT 17NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT7024S17PF8 功能描述:IC SRAM 64KBIT 17NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT7024S20G 功能描述:IC SRAM 64KBIT 20NS 84PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT7024S20J 功能描述:IC SRAM 64KBIT 20NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT7024S20J8 功能描述:IC SRAM 64KBIT 20NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
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