參數(shù)資料
型號： IDT7024S70PFB
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述： 4K X 16 DUAL-PORT SRAM, 70 ns, PQFP100
封裝： TQFP-100
文件頁數(shù)： 12/20頁
文件大?。?/td> 292K
代理商： IDT7024S70PFB
6.15
12
IDT7024S/L
HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
IDT7024X15
Com'l Only
Min.
IDT7024X17 IDT7024X20
Com'l Only
Min.
Max.
IDT7024X25
Symbol
BUSY TIMING (M/
S
= V
IH
)
t
BAA
BUSY
Access Time from Address Match
t
BDA
BUSY
Disable Time from Address Not Matched
t
BAC
BUSY
Access Time from Chip Enable Low
t
BDC
BUSY
Disable Time from Chip Enable High
t
APS
Arbitration Priority Set-up Time
(2)
t
BDD
BUSY
Disable to Valid Data
(3)
t
WH
Write Hold After
BUSY
(5)
BUSY TIMING (M/
S
= V
IL
)
t
WB
BUSY
Input to Write
(4)
t
WH
Write Hold After
BUSY
(5)
Parameter
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
—
—
—
—
5
—
12
15
15
15
15
—
18
—
—
—
—
—
5
—
13
17
17
17
17
—
18
—
—
—
—
—
5
—
15
20
20
20
17
—
30
—
—
—
—
—
5
—
17
20
20
20
17
—
30
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
0
12
—
—
0
13
—
—
0
15
—
—
0
17
—
—
ns
ns
PORT-TO-PORT DELAY TIMING
Write Pulse to Data Delay
(1)
t
DDD
Write Data Valid to Read Data Delay
(1)
t
WDD
—
—
30
25
—
—
30
25
—
—
45
35
—
—
50
35
ns
ns
BUSY TIMING (M/
S
= V
IL
)
t
WB
BUSY
Input to Write
(4)
t
WH
Write Hold After
BUSY
(5)
PORT-TO-PORT DELAY TIMING
t
WDD
Write Pulse to Data Delay
(1)
t
DDD
Write Data Valid to Read Data Delay
(1)
NOTES:
1. Port-to-port delay through RAM cells from writing port to reading port, refer to "Timing Waveform of Read With
BUSY
(M/
S
= V
IH
)" or "Timing Waveform
of Write With Port-To-Port Delay (M/
S
= V
IL
)".
2. To ensure that the earlier of the two ports wins.
3. tBDD is a calculated parameter and is the greater of 0ns, t
WDD
– t
WP
(actual), or t
DDD
– t
DW
(actual).
4. To ensure that the write cycle is inhibited on port "B" during contention with port "A".
5. To ensure that a write cycle is completed on port "B" after contention with port "A".
6. "X" in part numbers indicates power rating (S or L).
0
25
—
—
0
25
—
—
0
25
—
—
ns
ns
—
—
60
45
—
—
80
65
—
—
95
80
ns
ns
IDT7024X35
IDT7024X55
IDT7024X70
Mil. Only
Min.
Symbol
BUSY TIMING (M/
S
= V
IH
)
t
BAA
BUSY
Access Time from Address Match
t
BDA
BUSY
Disable Time from Address Not Matched
t
BAC
BUSY
Access Time from Chip Enable Low
t
BDC
BUSY
Disable Time from Chip Enable High
t
APS
Arbitration Priority Set-up Time
(2)
BUSY
Disable to Valid Data
(3)
Write Hold After
BUSY
(5)
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Max.
Unit
—
—
—
—
5
20
20
20
20
—
—
—
—
—
5
45
40
40
35
—
—
—
—
—
5
45
40
40
35
—
ns
ns
ns
ns
ns
t
BDD
—
35
—
40
—
45
ns
t
WH
25
—
25
—
25
—
ns
2740 tbl 15
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS OVER THE
OPERATING TEMPERATURE AND SUPPLY VOLTAGE RANGE
(6)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT7024S15FB HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7024L15FB HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7024L Low-Noise JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 85
IDT7024L15F HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7024L15G Low-Noise JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier 8-PDIP -40 to 85
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參數(shù)描述
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IDT7025L15J8 功能描述:IC SRAM 128KBIT 15NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT7025L15JG 功能描述:IC SRAM 128KBIT 15NS 84PLCC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT7025L15JG8 功能描述:IC SRAM 128KBIT 15NS 84PLCC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT7025L15PF 功能描述:IC SRAM 128KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
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