參數(shù)資料
型號(hào)： IDT7025S17G
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： Discrete Automotive N-Channel PowerTrench MOSFET, 75V, 80A, 0.006 Ohms @ VGS = 10V, TO-263/D2PAK Package; Package: TO-263(D2PAK); No of Pins: 2; Container: Tape & Reel
中文描述： 8K X 16 DUAL-PORT SRAM, 17 ns, CPGA84
封裝： CERAMIC, PGA-84
文件頁數(shù)： 12/20頁
文件大?。?/td> 294K
代理商： IDT7025S17G
6.16
12
IDT7025S/L
HIGH-SPEED 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
BUSY TIMING (M/S = V
IL
)
t
WB
BUSY
Input to Write
(4)
t
WH
Write Hold After
BUSY
(5)
PORT-TO-PORT DELAY TIMING
t
WDD
Write Pulse to Data Delay
(1)
t
DDD
Write Data Valid to Read Data Delay
(1)
0
25
—
—
0
25
—
—
0
25
—
—
ns
ns
—
—
60
45
—
—
80
65
—
—
95
80
ns
ns
IDT7025X15
Com'l Only
Min.
IDT7025X17
Com'l Only
Min.
IDT7025X20
IDT7025X25
Symbol
BUSY TIMING (M/
S
= V
IH
)
t
BAA
BUSY
Access Time from Address Match
t
BDA
BUSY
Disable Time from Address Not Matched
t
BAC
BUSY
Access Time from Chip Enable Low
t
BDC
BUSY
Disable Time from Chip Enable High
t
APS
Arbitration Priority Set-up Time
(2)
t
BDD
BUSY
Disable to Valid Data
(3
t
WH
Write Hold After
BUSY
(5)
Parameter
Max.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max. Unit
—
—
—
—
5
—
12
15
15
15
15
—
18
—
—
—
—
—
5
—
13
17
17
17
17
—
18
—
—
—
—
—
5
—
15
20
20
20
17
—
30
—
—
—
—
—
5
—
17
20
20
20
17
—
30
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
BUSY TIMING (M/
S
= V
IL
)
t
WB
BUSY
Input to Write
(4)
t
WH
Write Hold After
BUSY
(5)
0
—
—
0
13
—
—
0
15
—
—
0
17
—
—
ns
ns
12
PORT-TO-PORT DELAY TIMING
Write Pulse to Data Delay
(1)
t
DDD
Write Data Valid to Read Data Delay
(1)
t
WDD
—
—
30
25
—
—
30
25
—
—
45
35
—
—
50
35
ns
ns
IDT7025X35
IDT7025X55
IDT7025X70
Mil. Only
Min.
Symbol
BUSY TIMING (M/
S
= V
IH
)
t
BAA
BUSY
Access Time from Address Match
t
BDA
BUSY
Disable Time from Address Not Matched
t
BAC
BUSY
Access Time from Chip Enable Low
t
BDC
BUSY
Disable Time from Chip Enable High
t
APS
Arbitration Priority Set-up Time
(2)
t
BDD
BUSY
Disable to Valid Data
(3)
t
WH
Write Hold After
BUSY
(5)
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Max.
Unit
—
—
—
—
5
—
25
20
20
20
20
—
35
—
—
—
—
—
5
—
25
45
40
40
35
—
40
—
—
—
—
—
5
—
25
45
40
40
35
—
45
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NOTES:
1. Port-to-port delay through RAM cells from writing port to reading port, refer to "Timing Waveform of Read With
BUSY
(M/
S
= V
IH
)" or "Timing Waveform
of Write With Port-To-Port Delay (M/
S
= V
IH
)".
2. To ensure that the earlier of the two ports wins.
3. t
BDD
is a calculated parameter and is the greater of 0ns, t
WDD
– t
WP
(actual), or t
DDD
– t
DW
(actual).
4. To ensure that the write cycle is inhibited pn Port "B" during contention with Port "A".
5. To ensure that a write cycle is completed on Port "B" after contention with Port "A".
6. "X" in part numbers indicates power rating (S or L).
2683 tbl 15
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS OVER THE
OPERATING TEMPERATURE AND SUPPLY VOLTAGE
(6)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT7025S17GB HIGH-SPEED 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7025S17J HIGH-SPEED 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7025S17PF HIGH-SPEED 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7025S20F 500V N-Channel MOSFET FRFET; Package: TO-263(D2PAK); No of Pins: 2; Container: Tape & Reel
IDT7025S20FB 500V N-Channel MOSFET; Package: TO-263(D2PAK); No of Pins: 2; Container: Tape & Reel
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT7025S17J 功能描述:IC SRAM 128KBIT 17NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT7025S17J8 功能描述:IC SRAM 128KBIT 17NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT7025S17PF 功能描述:IC SRAM 128KBIT 17NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT7025S17PF8 功能描述:IC SRAM 128KBIT 17NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT7025S20G 功能描述:IC SRAM 128KBIT 20NS 84PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
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