參數(shù)資料
型號(hào): IDT7025S17J
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: DRAM
英文描述: HIGH-SPEED 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述: 8K X 16 DUAL-PORT SRAM, 17 ns, PQCC84
封裝: PLASTIC, LCC-84
文件頁數(shù): 13/20頁
文件大小: 294K
代理商: IDT7025S17J
IDT7025S/L
HIGH-SPEED 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
6.16
13
TIMING WAVEFORM OF WRITE PORT-TO-PORT READ AND
BUSY
(M/
S
= V
IH
)
(2,4,5)
2683 drw 13
t
DW
t
APS
ADDR
"A"
t
WC
DATA
OUT "B"
MATCH
t
WP
R/
W
"A"
DATA
IN "A"
ADDR
"B"
t
DH
VALID
(1)
MATCH
BUSY
"B"
t
BDA
VALID
t
BDD
t
DDD(3)
t
WDD
t
BAA
TIMING WAVEFORM OF WRITE WITH
BUSY
NOTES:
1. t
WH
must be met for both
BUSY
input (slave) output master.
2. Busy is asserted on port "B" Blocking R/
W
"B"
, until
BUSY
"B"
goes High.
3. t
WB
is only for the 'Slave' Version
.
NOTES:
1. To ensure that the earlier of the two ports wins. t
APS
is ignored for M/
S
= V
IL
(slave).
2.
CE
L
=
CE
R
= V
IL
.
3.
OE
= V
IL
for the reading port.
4. If M/
S
= V
IL
(slave),
BUSY
is an input. Then for this example
BUSY
"A"
= V
IH
and
BUSY
"B"
input is shown above.
5. All timing is the same for left and right ports. Port "A" may be either the left of right port. Port "B" is the opposite Port from Port "A".
2683 drw 14
R/
W
"A"
BUSY
"B"
t
WP
t
WB
R/
W
"B"
t
WH
(2)
(3)
(1)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT7025S17PF HIGH-SPEED 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7025S20F 500V N-Channel MOSFET FRFET; Package: TO-263(D2PAK); No of Pins: 2; Container: Tape & Reel
IDT7025S20FB 500V N-Channel MOSFET; Package: TO-263(D2PAK); No of Pins: 2; Container: Tape & Reel
IDT7025S20G HIGH-SPEED 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7025S55G 250V N-Channel MOSFET; Package: TO-263(D2PAK); No of Pins: 2; Container: Tape & Reel
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參數(shù)描述
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IDT7025S20J 功能描述:IC SRAM 128KBIT 20NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口,異步 存儲(chǔ)容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF