參數(shù)資料
型號： IDT7025S70GB
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述： 8K X 16 DUAL-PORT SRAM, 70 ns, CPGA84
封裝： CERAMIC, PGA-84
文件頁數(shù)： 12/20頁
文件大小： 294K
代理商： IDT7025S70GB
6.16
12
IDT7025S/L
HIGH-SPEED 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
BUSY TIMING (M/S = V
IL
)
t
WB
BUSY
Input to Write
(4)
t
WH
Write Hold After
BUSY
(5)
PORT-TO-PORT DELAY TIMING
t
WDD
Write Pulse to Data Delay
(1)
t
DDD
Write Data Valid to Read Data Delay
(1)
0
25
—
—
0
25
—
—
0
25
—
—
ns
ns
—
—
60
45
—
—
80
65
—
—
95
80
ns
ns
IDT7025X15
Com'l Only
Min.
IDT7025X17
Com'l Only
Min.
IDT7025X20
IDT7025X25
Symbol
BUSY TIMING (M/
S
= V
IH
)
t
BAA
BUSY
Access Time from Address Match
t
BDA
BUSY
Disable Time from Address Not Matched
t
BAC
BUSY
Access Time from Chip Enable Low
t
BDC
BUSY
Disable Time from Chip Enable High
t
APS
Arbitration Priority Set-up Time
(2)
t
BDD
BUSY
Disable to Valid Data
(3
t
WH
Write Hold After
BUSY
(5)
Parameter
Max.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max. Unit
—
—
—
—
5
—
12
15
15
15
15
—
18
—
—
—
—
—
5
—
13
17
17
17
17
—
18
—
—
—
—
—
5
—
15
20
20
20
17
—
30
—
—
—
—
—
5
—
17
20
20
20
17
—
30
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
BUSY TIMING (M/
S
= V
IL
)
t
WB
BUSY
Input to Write
(4)
t
WH
Write Hold After
BUSY
(5)
0
—
—
0
13
—
—
0
15
—
—
0
17
—
—
ns
ns
12
PORT-TO-PORT DELAY TIMING
Write Pulse to Data Delay
(1)
t
DDD
Write Data Valid to Read Data Delay
(1)
t
WDD
—
—
30
25
—
—
30
25
—
—
45
35
—
—
50
35
ns
ns
IDT7025X35
IDT7025X55
IDT7025X70
Mil. Only
Min.
Symbol
BUSY TIMING (M/
S
= V
IH
)
t
BAA
BUSY
Access Time from Address Match
t
BDA
BUSY
Disable Time from Address Not Matched
t
BAC
BUSY
Access Time from Chip Enable Low
t
BDC
BUSY
Disable Time from Chip Enable High
t
APS
Arbitration Priority Set-up Time
(2)
t
BDD
BUSY
Disable to Valid Data
(3)
t
WH
Write Hold After
BUSY
(5)
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Max.
Unit
—
—
—
—
5
—
25
20
20
20
20
—
35
—
—
—
—
—
5
—
25
45
40
40
35
—
40
—
—
—
—
—
5
—
25
45
40
40
35
—
45
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NOTES:
1. Port-to-port delay through RAM cells from writing port to reading port, refer to "Timing Waveform of Read With
BUSY
(M/
S
= V
IH
)" or "Timing Waveform
of Write With Port-To-Port Delay (M/
S
= V
IH
)".
2. To ensure that the earlier of the two ports wins.
3. t
BDD
is a calculated parameter and is the greater of 0ns, t
WDD
– t
WP
(actual), or t
DDD
– t
DW
(actual).
4. To ensure that the write cycle is inhibited pn Port "B" during contention with Port "A".
5. To ensure that a write cycle is completed on Port "B" after contention with Port "A".
6. "X" in part numbers indicates power rating (S or L).
2683 tbl 15
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS OVER THE
OPERATING TEMPERATURE AND SUPPLY VOLTAGE
(6)
相關PDF資料
PDF描述
IDT7025S17PFB HIGH-SPEED 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7025L17PFB HIGH-SPEED 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7026S25GB HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7026S25J HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7026S25JB 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70261L15PF 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70261L15PF8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70261L15PFG 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應商設備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
IDT70261L15PFG8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70261L20PF 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*