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參數(shù)資料
| 型號： | IDT70261L35PFI |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 250V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 16K X 16 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 3/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 171K |
| 代理商： | IDT70261L35PFI |
6.42
IDT70261S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM with Interrupt Industrial and Commercial Temperature Ranges
NOTE:
1. There are eight semaphore flags written to via I/O
0
and read fromall I/O's(I/O
0
- I/O
15
). These eight semaphores are addressed by A
0
- A
2
.
$%&#'#
()##*+
!
','-../)#,(01
!
','-./"2(01
((&#
(
NOTE:
1. A
0L
—
A
13L
≠
A
0R
—
A
13R.
NOTES:
1. V
IL
> -1.5V for pulse width less than 10ns.
2. V
TERM
must not exceed Vcc + 10%.
NOTES:
1. This is the parameter T
A
.
Grade
Ambient
Temperature
GND
Vcc
Commercial
0
O
C to +70
O
C
0V
5.0V
+
10%
Industrial
-40
O
C to +85
O
C
0V
5.0V
+
10%
3039 tbl 02
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
CC
Supply Voltage
4.5
5.0
5.5
V
GND
Ground
0
0
0
V
V
IH
Input High Voltage
2.2
____
6.0
(2)
V
V
IL
Input LowVoltage
-0.5
(1)
____
0.8
V
3039 tbl 03
Inputs
(1)
Outputs
Mode
R/
I/O
8-15
I/O
0-7
H
X
X
X
X
H
High-Z
High-Z
Deselected: Power-Down
X
X
X
H
H
H
High-Z
High-Z
Both Bytes Deselected
L
L
X
L
H
H
DATA
IN
High-Z
Write to Upper Byte Only
L
L
X
H
L
H
High-Z
DATA
IN
Write to Lower Byte Only
L
L
X
L
L
H
DATA
IN
DATA
IN
Write to Both Bytes
L
H
L
L
H
H
DATA
OUT
High-Z
Read Upper Byte Only
L
H
L
H
L
H
High-Z
DATA
OUT
Read Lower Byte Only
L
H
L
L
L
H
DATA
OUT
DATA
OUT
Read Both Bytes
X
X
H
X
X
X
High-Z
High-Z
Outputs Disabled
3039 tbl 04
Inputs
Outputs
Mode
R/
I/O
8-15
I/O
0-7
H
H
L
X
X
L
DATA
OUT
DATA
OUT
Read Data in Semaphore Flag
X
H
L
H
H
L
DATA
OUT
DATA
OUT
Read Data in Semaphore Flag
H
↑
X
X
X
L
DATA
IN
DATA
IN
Write I/O
0
into Semaphore Flag
X
↑
X
H
H
L
DATA
IN
DATA
IN
Write I/O
0
into Semaphore Flag
L
X
X
L
X
L
______
______
Not Allowed
L
X
X
X
L
L
______
______
Not Allowed
3039 tbl 05
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70261L55PF | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| IDT70261L55PFI | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| IDT70261S | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| IDT70261S15PF | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| IDT70261S15PFI | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IDT70261L55PF8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 55NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT70261S15PF | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70261S15PF8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT70261S20PF | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
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