參數(shù)資料
型號： IDT70261S15PF
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
中文描述： 16K X 16 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PQFP100
封裝： 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
文件頁數(shù)： 5/19頁
文件大小： 171K
代理商： IDT70261S15PF
6.42
IDT70261S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM with Interrupt Industrial and Commercial Temperature Ranges
,&3,&#
'#()##*+
!
+
456+78!
NOTES:
1. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
2.
V
CC
= 5V, T
A
= +25
°
C, and are not production tested. I
CCDC
= 120mA (Typ.)
3.
At f = f
MAX
,
address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximumfrequency read cycle of 1/t
RC
, and using
“
AC Test Conditions
”
of input levels of GND to 3V.
4.
f = 0 means no address or control lines change.
5.
Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite fromport "A".
70261X15
Com'l Only
70261X20
Com'l & Ind
70261X25
Com'l & Ind
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ.
(2)
Max.
Typ.
(2)
Max.
Typ.
(2)
Max.
Unit
I
CC
Dynamc Operating Current
(Both Ports Active)
= V
IL
, Outputs Open
= V
IH
f = f
MAX
(3)
COML
S
L
190
190
325
285
180
180
315
275
170
170
305
265
mA
IND
S
L
____
____
____
____
180
180
355
315
170
170
345
305
I
SB1
Standby Current
(Both Ports - TTL Level
Inputs)
L
=
R
=
R
= V
IH
L
= V
IH
f = f
MAX
(3)
COML
S
L
35
35
95
70
30
30
85
60
25
25
85
60
mA
IND
S
L
____
____
____
____
30
30
100
80
25
25
100
80
I
SB2
Standby Current
(One Port - TTL Level Inputs)
"A"
= V
IL
and
Active Port Outputs Open,
f=f
MAX
(3)
R
=
"B"
= V
IH
(5)
L
= V
IH
COML
S
L
125
125
220
190
115
115
210
180
105
105
200
170
mA
IND
S
L
____
____
____
____
115
115
245
210
105
105
230
200
I
SB3
Full Standby Current (Both
Ports - All CMOS Level
Inputs)
Both Ports
R
> V
CC
- 0 and
V
IN
> V
CC
- 0.2V or
V
IN
< 0.2V, f = 0
(4)
R
=
L
L
> V
CC
- 0.2V
COML
S
L
1.0
0.2
15
5
1.0
0.2
15
5
1.0
0.2
15
5
mA
IND
S
L
____
____
____
____
1.0
0.2
30
10
1.0
0.2
30
10
I
SB4
Full Standby Current
(One Port - All CMOS Level
Inputs)
"A"
< 0.2V and
"B"
> V
CC
- 0.2V
(5)
R
=
V
IN
> V
CC
- 0.2V or V
IN
< 0.2V
Active Port Outputs Open
f = f
MAX
(3)
L
> V
CC
- 0.2V
COML
S
L
120
120
195
170
110
110
185
160
100
100
170
145
mA
IND
S
L
____
____
____
____
110
110
210
185
100
100
200
175
3039 tbl 10
70261X35
Com'l & Ind
70261X55
Com'l & Ind
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ.
(2)
Max.
Typ.
(2)
Max.
Unit
I
CC
Dynamc Operating
Current
(Both Ports Active)
= V
IL
, Outputs Open
= V
IH
f = f
MAX
(3)
COML
S
L
160
160
295
255
150
150
270
230
mA
IND
S
L
160
160
335
295
150
150
310
270
mA
I
SB1
Standby Current
(Both Ports - TTL Level
Inputs)
L
=
R
=
R
= V
IH
L
= V
IH
f = f
MAX
(3)
COML
S
L
20
20
85
60
13
13
85
60
mA
IND
S
L
20
20
100
80
13
13
100
80
mA
I
SB2
Standby Current
(One Port - TTL Level
Inputs)
"A"
= V
IL
and
Active Port Outputs Open,
f=f
MAX
(3)
R
=
"B"
= V
IH
(5)
L
= V
IH
COML
S
L
95
95
185
155
85
85
165
135
mA
IND
S
L
95
95
215
185
85
85
195
165
mA
I
SB3
Full Standby Current
(Both Ports - All CMOS
Level Inputs)
Both Ports
R
> V
CC
- 0.2V
V
IN
> V
CC
- 0.2V or
V
IN
< 0.2V, f = 0
(4)
R
=
L
and
L
> V
CC
- 0.2V
COML
S
L
1.0
0.2
15
5
1.0
0.2
15
5
mA
IND
S
L
1.0
0.2
30
10
1.0
0.2
30
10
mA
I
SB4
Full Standby Current
(One Port - All CMOS
Level Inputs)
"A"
< 0.2V and
"B"
> V
CC
- 0.2V
(5)
R
=
V
IN
> V
CC
- 0.2V or V
IN
< 0.2V
Active Port Outputs Open
f=f
MAX
(3)
L
> V
CC
- 0.2V
COML
S
L
90
90
160
135
80
80
135
110
mA
IND
S
L
90
90
190
165
80
80
175
150
mA
3039 tbl 11
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70261S15PFI HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
IDT70261S20PF HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
IDT70261S20PFI HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
IDT70261S25PF HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
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參數(shù)描述
IDT70261S15PF8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70261S20PF 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70261S20PF8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70261S25PF 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70261S25PF8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
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