參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70261S55PFI
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
中文描述： 16K X 16 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, PQFP100
封裝： TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 12/19頁(yè)
文件大小： 171K
代理商： IDT70261S55PFI
6.42
IDT70261S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM with Interrupt Industrial and Commercial Temperature Ranges
12
3039 drw 11
t
DW
t
APS
ADDR
"A"
t
WC
DATA
OUT "B"
MATCH
t
WP
R/
"A"
DATA
IN "A"
ADDR
"B"
t
DH
VALID
(1)
MATCH
"B"
t
BDA
VALID
t
BDD
t
DDD
(3)
t
WDD
t
BAA
'131=,22((
BUSY
$0
S
4+
.A
!
<5!
NOTES:
1. t
WH
must be met for both
BUSY
input (SLAVE) and output (MASTER).
2.
BUSY
is asserted on port "B" blocking R/
W
"B"
, until
BUSY
"B"
goes HIGH.
3. t
WB
is only for the
“
SLAVE
”
version.
NOTES:
1. To ensure that the earlier of the two ports wins. t
APS
is ignored for M/
S
= V
IL
(SLAVE).
2.
CE
L
=
CE
R
= V
IL.
3.
OE
= V
IL
for the reading port.
4. If M/
S
= V
IL
(slave),
BUSY
is an input. Then for this example
BUSY
"A"
= V
IH
and
BUSY
"B"
input is shown above.
5. All timng is the same for left and right ports. Port "A" may be either the left or right port. Port "B" is the port opposite fromport "A".
'131=,
BUSY
$0
S
4+
.B
!
3039 drw 12
R/
"A"
"B"
t
WP
t
WB
R/
"B"
t
WH
(2)
(3)
(1)
,
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70261L15PF HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
IDT70261L15PFI HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
IDT70261L20PFI HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
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IDT7027L HIGH-SPEED 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT7026L15J 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 84PLCC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):70V3579S5BCI8
IDT7026L15J8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 84PLCC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):70V3579S5BCI8
IDT7026L15JG 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 84PLCC RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
IDT7026L20G 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 84PGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT7026L20J 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 84PLCC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):70V3579S5BCI8
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