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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT7026 |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| 中文描述： | 高速16K的× 16 DUAL-PORT靜態(tài)RAM的中斷 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/19頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 171K |
| 代理商： | IDT7026 |
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6.42
IDT70261S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM with Interrupt Industrial and Commercial Temperature Ranges
,&3,&#
'#()##*+
!
+
456+78!
NOTES:
1. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
2.
V
CC
= 5V, T
A
= +25
°
C, and are not production tested. I
CCDC
= 120mA (Typ.)
3.
At f = f
MAX
,
address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximumfrequency read cycle of 1/t
RC
, and using
“
AC Test Conditions
”
of input levels of GND to 3V.
4.
f = 0 means no address or control lines change.
5.
Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite fromport "A".
70261X15
Com'l Only
70261X20
Com'l & Ind
70261X25
Com'l & Ind
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ.
(2)
Max.
Typ.
(2)
Max.
Typ.
(2)
Max.
Unit
I
CC
Dynamc Operating Current
(Both Ports Active)
= V
IL
, Outputs Open
= V
IH
f = f
MAX
(3)
COML
S
L
190
190
325
285
180
180
315
275
170
170
305
265
mA
IND
S
L
____
____
____
____
180
180
355
315
170
170
345
305
I
SB1
Standby Current
(Both Ports - TTL Level
Inputs)
L
=
R
=
R
= V
IH
L
= V
IH
f = f
MAX
(3)
COML
S
L
35
35
95
70
30
30
85
60
25
25
85
60
mA
IND
S
L
____
____
____
____
30
30
100
80
25
25
100
80
I
SB2
Standby Current
(One Port - TTL Level Inputs)
"A"
= V
IL
and
Active Port Outputs Open,
f=f
MAX
(3)
R
=
"B"
= V
IH
(5)
L
= V
IH
COML
S
L
125
125
220
190
115
115
210
180
105
105
200
170
mA
IND
S
L
____
____
____
____
115
115
245
210
105
105
230
200
I
SB3
Full Standby Current (Both
Ports - All CMOS Level
Inputs)
Both Ports
R
> V
CC
- 0 and
V
IN
> V
CC
- 0.2V or
V
IN
< 0.2V, f = 0
(4)
R
=
L
L
> V
CC
- 0.2V
COML
S
L
1.0
0.2
15
5
1.0
0.2
15
5
1.0
0.2
15
5
mA
IND
S
L
____
____
____
____
1.0
0.2
30
10
1.0
0.2
30
10
I
SB4
Full Standby Current
(One Port - All CMOS Level
Inputs)
"A"
< 0.2V and
"B"
> V
CC
- 0.2V
(5)
R
=
V
IN
> V
CC
- 0.2V or V
IN
< 0.2V
Active Port Outputs Open
f = f
MAX
(3)
L
> V
CC
- 0.2V
COML
S
L
120
120
195
170
110
110
185
160
100
100
170
145
mA
IND
S
L
____
____
____
____
110
110
210
185
100
100
200
175
3039 tbl 10
70261X35
Com'l & Ind
70261X55
Com'l & Ind
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ.
(2)
Max.
Typ.
(2)
Max.
Unit
I
CC
Dynamc Operating
Current
(Both Ports Active)
= V
IL
, Outputs Open
= V
IH
f = f
MAX
(3)
COML
S
L
160
160
295
255
150
150
270
230
mA
IND
S
L
160
160
335
295
150
150
310
270
mA
I
SB1
Standby Current
(Both Ports - TTL Level
Inputs)
L
=
R
=
R
= V
IH
L
= V
IH
f = f
MAX
(3)
COML
S
L
20
20
85
60
13
13
85
60
mA
IND
S
L
20
20
100
80
13
13
100
80
mA
I
SB2
Standby Current
(One Port - TTL Level
Inputs)
"A"
= V
IL
and
Active Port Outputs Open,
f=f
MAX
(3)
R
=
"B"
= V
IH
(5)
L
= V
IH
COML
S
L
95
95
185
155
85
85
165
135
mA
IND
S
L
95
95
215
185
85
85
195
165
mA
I
SB3
Full Standby Current
(Both Ports - All CMOS
Level Inputs)
Both Ports
R
> V
CC
- 0.2V
V
IN
> V
CC
- 0.2V or
V
IN
< 0.2V, f = 0
(4)
R
=
L
and
L
> V
CC
- 0.2V
COML
S
L
1.0
0.2
15
5
1.0
0.2
15
5
mA
IND
S
L
1.0
0.2
30
10
1.0
0.2
30
10
mA
I
SB4
Full Standby Current
(One Port - All CMOS
Level Inputs)
"A"
< 0.2V and
"B"
> V
CC
- 0.2V
(5)
R
=
V
IN
> V
CC
- 0.2V or V
IN
< 0.2V
Active Port Outputs Open
f=f
MAX
(3)
L
> V
CC
- 0.2V
COML
S
L
90
90
160
135
80
80
135
110
mA
IND
S
L
90
90
190
165
80
80
175
150
mA
3039 tbl 11
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70261 | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| IDT70261L | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| IDT70261L20PF | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| IDT70261L25PF | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| IDT70261L25PFI | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70261L15PF | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):70V3579S5BCI8 |
| IDT70261L15PF8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):70V3579S5BCI8 |
| IDT70261L15PFG | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 100TQFP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70261L15PFG8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 100TQFP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):70V3579S5BCI8 |
| IDT70261L20PF | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):70V3579S5BCI8 |
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