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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT7026L35GB |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 16K X 16 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, CPGA84 |
| 封裝： | CERAMIC, PGA-84 |
| 文件頁數(shù)： | 7/18頁 |
| 文件大?。?/td> | 239K |
| 代理商： | IDT7026L35GB |
IDT7026S/L
HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
6.17
7
IDT7026X35
IDT7026X55
Symbol
READ CYCLE
t
RC
t
AA
t
ACE
t
ABE
t
AOE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
PU
t
PD
t
SOP
t
SAA
NOTES:
1. Transition is measured
±
200mV from Low or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. To access RAM,
CE
= V
IL
and
SEM
= V
IH
. To access semaphore,
CE
= V
IH
and
SEM
= V
IL
.
4. "X" in part numbers indicates power rating (S or L).
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Read Cycle Time
Address Access Time
Chip Enable Access Time
(3)
Byte Enable Access Time
(3)
Output Enable Access Time
Output Hold from Address Change
Output Low-Z Time
(1, 2)
Output High-Z Time
(1, 2)
Chip Enable to Power Up Time
(2)
Chip Disable to Power Down Time
(2)
Semaphore Flag Update Pulse (
OE
or
SEM
)
Semaphore Address Access Time
35
—
—
—
—
3
3
—
0
—
15
—
—
35
35
35
20
—
—
15
—
35
—
35
55
—
—
—
—
3
3
—
0
—
15
—
—
55
55
55
30
—
—
25
—
50
—
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
AC TEST CONDITIONS
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
5ns Max.
1.5V
1.5V
Figures 1 and 2
2939 tbl 11
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS OVER THE
OPERATING TEMPERATURE AND SUPPLY VOLTAGE RANGE
(4)
IDT7026X20
Com'l. Only
Min.
IDT7026X25
Symbol
READ CYCLE
t
RC
t
AA
t
ACE
t
ABE
t
AOE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
PU
t
PD
t
SOP
t
SAA
Parameter
Max.
Min.
Max.
Unit
Read Cycle Time
Address Access Time
Chip Enable Access Time
(3)
Byte Enable Access Time
(3)
Output Enable Access Time
Output Hold from Address Change
Output Low-Z Time
(1, 2)
Output High-Z Time
(1, 2)
Chip Enable to Power Up Time
(2)
Chip Disable to Power Down Time
(2)
Semaphore Flag Update Pulse (
OE
or
SEM
)
Semaphore Address Access Time
20
—
—
—
—
3
3
—
0
—
10
—
—
20
20
20
12
—
—
12
—
20
—
20
25
—
—
—
—
3
3
—
0
—
12
—
—
25
25
25
13
—
—
15
—
25
—
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2939 tbl 12
2939 drw 05
893
30pF
347
5V
DATA
OUT
BUSY
INT
893
5pF
347
5V
DATA
OUT
2939 drw 04
Figure 1. AC Output Load
Figure 2. Output Test Load
(for t
LZ
, t
HZ
, t
WZ
, t
OW
)
* Including scope and jig.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7026L35J | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7026L35JB | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7026L55G | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7026L55GB | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7026L55J | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IDT7026L35J8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
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