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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT7026L55JB |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 16K X 16 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, PQCC84 |
| 封裝： | PLASTIC, LCC-84 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/18頁(yè) |
| 文件大小： | 239K |
| 代理商： | IDT7026L55JB |
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IDT7026S/L
HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
6.17
11
TIMING WAVEFORM OF SEMAPHORE READ AFTER WRITE TIMING, EITHER SIDE
(1)
TIMING WAVEFORM OF SEMAPHORE WRITE CONTENTION
(1,3,4)
NOTES:
1.
CE
= V
IH
or
UB
and
LB
= V
IH
for the duration of the above timing (both write and read cycle).
2. "DATA
OUT
VALID" represents all I/O's (I/O
0
-I/O
15
) equal to the semaphore value.
SEM
"A"
2939 drw 11
t
SPS
MATCH
R/
W
"A"
MATCH
A
0"A"
-A
2"A"
SIDE
“A”
(2)
SEM
"B"
R/
W
"B"
A
0"B"
-A
2"B"
SIDE
(2)
“B”
NOTES:
1. D
OR
= D
OL
= V
IL
,
CE
R
=
CE
L
= V
IH
, or both
UB
&
LB
= V
IH
.
2. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either left or right port. Port “B” is the opposite from port “A”.
3. This parameter is measured from R/
W"
A"
or
SEM"
A"
going HIGH to R/
W"
B"
or
SEM"
B"
going HIGH.
4. If t
SPS
is not satisfied, there is no guarantee which side will be granted the semaphore flag.
SEM
2939 drw 10
t
AW
t
EW
t
SOP
I/O
0
VALID ADDRESS
t
SAA
R/
W
t
WR
t
OH
t
ACE
VALID ADDRESS
DATA
IN
VALID
DATA
OUT
VALID
(2)
t
DW
t
WP
t
DH
t
AS
t
SWRD
t
AOE
Read Cycle
Write Cycle
A
0
-A
2
OE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7026 | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| IDT70261 | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| IDT70261L | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| IDT70261L20PF | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| IDT70261L25PF | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IDT7026S15J8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 84PLCC |
| IDT7026S20G | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 84PGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT7026S20J | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 84PLCC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):70V3579S5BCI8 |
| IDT7026S20J8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 84PLCC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):70V3579S5BCI8 |
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