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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT7026S20JB |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 16K X 16 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQCC84 |
| 封裝： | PLASTIC, LCC-84 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/18頁(yè) |
| 文件大小： | 239K |
| 代理商： | IDT7026S20JB |
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6.17
8
IDT7026S/L
HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
NOTES:
1. Timing depends on which signal is asserted last,
OE
,
CE
,
LB
, or
UB
.
2. Timing depends on which signal is de-asserted first
CE
,
OE
,
LB
, or
UB
.
3. t
BDD
delay is required only in cases where the opposite port is completing a write operation to the same address location. For simultaneous read operations
BUSY
has no relation to valid output data.
4. Start of valid data depends on which timing becomes effective last t
AOE
, t
ACE
, t
AA
or t
BDD
.
5.
SEM
= V
IH
.
WAVEFORM OF READ CYCLES
(5)
t
RC
R/
W
CE
ADDR
t
AA
t
ACE(4)
OE
UB
,
LB
2939 drw 06
(4)
t
AOE(4)
t
ABE(4)
(1)
t
LZ
t
OH
(2)
t
HZ
(3, 4)
t
BDD
DATA
OUT
BUSY
OUT
VALID DATA
(4)
TIMING OF POWER-UP POWER-DOWN
CE
2939 drw 07
t
PU
I
CC
I
SB
t
PD
50%
50%
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7026S25G | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7026S55JB | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7026L55JB | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7026 | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| IDT70261 | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT7026S25G | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 84PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT7026S25J | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT7026S25J8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT7026S35G | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 84PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT7026S35J | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
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