參數(shù)資料
型號： IDT7026S25J
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述： 16K X 16 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQCC84
封裝： PLASTIC, LCC-84
文件頁數(shù)： 11/18頁
文件大?。?/td> 239K
代理商： IDT7026S25J
IDT7026S/L
HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
6.17
11
TIMING WAVEFORM OF SEMAPHORE READ AFTER WRITE TIMING, EITHER SIDE
(1)
TIMING WAVEFORM OF SEMAPHORE WRITE CONTENTION
(1,3,4)
NOTES:
1.
CE
= V
IH
or
UB
and
LB
= V
IH
for the duration of the above timing (both write and read cycle).
2. "DATA
OUT
VALID" represents all I/O's (I/O
0
-I/O
15
) equal to the semaphore value.
SEM
"A"
2939 drw 11
t
SPS
MATCH
R/
W
"A"
MATCH
A
0"A"
-A
2"A"
SIDE
“A”
(2)
SEM
"B"
R/
W
"B"
A
0"B"
-A
2"B"
SIDE
(2)
“B”
NOTES:
1. D
OR
= D
OL
= V
IL
,
CE
R
=
CE
L
= V
IH
, or both
UB
&
LB
= V
IH
.
2. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either left or right port. Port “B” is the opposite from port “A”.
3. This parameter is measured from R/
W"
A"
or
SEM"
A"
going HIGH to R/
W"
B"
or
SEM"
B"
going HIGH.
4. If t
SPS
is not satisfied, there is no guarantee which side will be granted the semaphore flag.
SEM
2939 drw 10
t
AW
t
EW
t
SOP
I/O
0
VALID ADDRESS
t
SAA
R/
W
t
WR
t
OH
t
ACE
VALID ADDRESS
DATA
IN
VALID
DATA
OUT
VALID
(2)
t
DW
t
WP
t
DH
t
AS
t
SWRD
t
AOE
Read Cycle
Write Cycle
A
0
-A
2
OE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT7026S25JB 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IDT7026S35G HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7026S35GB HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7026S35J HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7026S35JB HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
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參數(shù)描述
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IDT7026S35J 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT7026S35J8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
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