參數(shù)資料
型號(hào)： IDT7027L35PF
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述： 32K X 16 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQFP100
封裝： TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 9/19頁(yè)
文件大小： 160K
代理商： IDT7027L35PF
6.42
IDT7027S/L
High-Speed 32K x 16 Dual-Port Static RAM Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
9
NOTES:
1. Transition is measured 0mV fromLow or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. To access RAM
CE
= V
IL
and
SEM
= V
IH
. To access semaphore,
CE
= V
IH
and
SEM
= V
IL
. Either condition must be valid for the entire t
EW
time. Refer to Chip Enable
Truth Table.
4. The specification for t
DH
must be met by the device supplying write data to the RAMunder all operating conditions. Although t
DH
and t
OW
values will vary over voltage
and temperature, the actual t
DH
will always be smaller than the actual t
OW
.
5. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
6. Industrial temperature: for other speeds, packages and powers contact your sales office.
)%68%
6$,/9:
2>
Symbol
Parameter
7027X20
Com'l Only
7027X25
Com'l, Ind
& Mlitary
7027X35
Com'l &
Mlitary
7027X55
Com'l &
Mlitary
Unit
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Mn.
Max.
WRITE CYCLE
t
WC
Write Cycle Time
20
____
25
____
35
____
55
____
ns
t
EW
Chip Enable to End-of-Write
(3)
15
____
20
____
30
____
45
____
ns
t
AW
Address Valid to End-of-Write
15
____
20
____
30
____
45
____
ns
t
AS
Address Set-up Time
(3)
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t
WP
Write Pulse Width
15
____
20
____
25
____
40
____
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t
DW
Data Valid to End-of-Write
15
____
15
____
15
____
30
____
ns
t
HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
12
____
15
____
15
____
25
ns
t
DH
Data Hold Time
(4)
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t
WZ
Write Enable to Output in High-Z
(1,2)
____
12
____
15
____
15
____
25
ns
t
OW
Output Active fromEnd-of-Write
(1,2,4)
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t
SWRD
SEM
Flag Write to Read Time
5
____
5
____
5
____
5
____
ns
t
SPS
SEM
Flag Contention Window
5
____
5
____
5
____
5
____
ns
3199 tbl 13
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT7027L35PFB OUTSIDE CORNER, LD5&CD5 RoHS Compliant: Yes
IDT7027L35PFI HIGH-SPEED 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7027S35PFI Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
IDT7027S55PFB Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET; Package: SSOT-6; No of Pins: 6; Container: Tape & Reel
IDT7027S55PFI Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT7027L35PF8 功能描述:IC SRAM 512KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT7027L55G 功能描述:IC SRAM 512KBIT 55NS 108PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT7027L55PF 功能描述:IC SRAM 512KBIT 55NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT7027L55PF8 功能描述:IC SRAM 512KBIT 55NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
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