參數(shù)資料
型號: IDT7027L35PFB
廠商: Integrated Device Technology, Inc.
英文描述: OUTSIDE CORNER, LD5&CD5 RoHS Compliant: Yes
中文描述: 高速32K的× 16 DUAL-PORT靜態(tài)RAM
文件頁數(shù): 7/19頁
文件大小: 160K
代理商: IDT7027L35PFB
6.42
IDT7027S/L
High-Speed 32K x 16 Dual-Port Static RAM Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
7
$,
)%68%
6$,/9:+
@>
NOTES:
.
1. Transition is measured 0mV fromLow or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. To access RAM
CE
= V
IL
and
SEM
= V
IH
. To access semaphore,
CE
= V
IH
and
SEM
= V
IL
.
4. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
5. Refer to Chip Enable Truth Table.
6. Industrial temperature: for other speeds, packages and powers contact your sales office.
Figure 1. AC Output Test Load
Figure 2. Output Test Load
(for t
LZ
, t
HZ
, t
WZ
, t
OW
)
*Including scope and jig.
dInput Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timng Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
5ns Max.
1.5V
1.5V
Figures 1 and 2
3199 tbl 11
3199 drw 04
893
30pF
347
5V
DATA
OUT
BUSY
INT
893
5pF*
347
5V
DATA
OUT
7027X20
Com'l Only
7027X25
Com'l, Ind.
& Mlitary
7027X35
Com'l &
Mlitary
7027X55
Com'l &
Mlitary
Symbol
Parameter
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Unit
READ CYCLE
t
RC
Read Cycle Time
20
____
25
____
35
____
55
____
ns
t
AA
Address Access Time
____
20
____
25
____
35
____
55
ns
t
ACE
Chip Enable Access Time
(3)
____
20
____
25
____
35
____
55
ns
t
ABE
Byte Enable Access Time
(3)
____
20
____
25
____
35
____
55
ns
t
AOE
Output Enable Access Time
____
12
____
13
____
20
____
30
ns
t
OH
Output Hold fromAddress Change
3
____
3
____
3
____
3
____
ns
t
LZ
Output Low-Z Time
(1,2)
3
____
3
____
3
____
3
____
ns
t
HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
12
____
15
____
15
____
25
ns
t
PU
Chip Enable to Power Up Time
(2,5)
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t
PD
Chip Disable to Power Down Time
(2,5)
____
20
____
25
____
35
____
50
ns
t
SOP
Semaphore Flag Update Pulse (
OE
or
SEM
)
10
____
12
____
15
____
15
____
ns
t
SAA
Semaphore Address Access Time
____
20
____
25
____
35
____
55
ns
3199 tbl 12
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT7027L35PFI HIGH-SPEED 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7027S35PFI Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
IDT7027S55PFB Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET; Package: SSOT-6; No of Pins: 6; Container: Tape & Reel
IDT7027S55PFI Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
IDT7027S55G HIGH-SPEED 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
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參數(shù)描述
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IDT7027L55PF 功能描述:IC SRAM 512KBIT 55NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口,同步 存儲容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA(17x17) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT7027L55PF8 功能描述:IC SRAM 512KBIT 55NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口,同步 存儲容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA(17x17) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT7027S15PF 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口,同步 存儲容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA(17x17) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT7027S15PF8 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口,同步 存儲容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA(17x17) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8