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參數(shù)資料
| 型號： | IDT7027L55PF |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 32K X 16 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 8/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 160K |
| 代理商： | IDT7027L55PF |
6.42
IDT7027S/L
High-Speed 32K x 16 Dual-Port Static RAM Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
.8+,9
2
$A*BA*A
NOTES:
1. Timng depends on which signal is asserted last,
CE
,
OE
,
LB
, or
UB
.
2. Timng depends on which signal is de-asserted first
CE
,
OE
,
LB
, or
UB
.
3. t
BDD
delay is required only in cases where the opposite port is completing a write operation to the same address location. For simultaneous read operations
BUSY
has no relation to valid output data.
4. Start of valid data depends on which timng becomes effective last t
AOE
, t
ACE
, t
AA
or t
BDD
.
5.
SEM
= V
IH
.
6. Refer to Chip Enable Truth Table.
t
RC
R/
W
CE
ADDR
t
AA
t
ACE
OE
UB
,
LB
3199 drw 05
(4)
(4)
t
AOE
(4)
t
ABE
(4)
(1)
t
LZ
t
OH
(2)
t
HZ
(3,4)
t
BDD
DATA
OUT
BUSY
OUT
VALID DATA
(4)
(6)
CE
3199 drw 06
t
PU
I
CC
I
SB
t
PD
50%
50%
(6)
.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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