參數(shù)資料
型號(hào): IDT7027S20GI
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: DRAM
英文描述: P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
中文描述: 32K X 16 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, CPGA108
封裝: CERAMIC, PGA-108
文件頁(yè)數(shù): 8/19頁(yè)
文件大?。?/td> 160K
代理商: IDT7027S20GI
6.42
IDT7027S/L
High-Speed 32K x 16 Dual-Port Static RAM Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
.8+,9
2
$A*BA*A
NOTES:
1. Timng depends on which signal is asserted last,
CE
,
OE
,
LB
, or
UB
.
2. Timng depends on which signal is de-asserted first
CE
,
OE
,
LB
, or
UB
.
3. t
BDD
delay is required only in cases where the opposite port is completing a write operation to the same address location. For simultaneous read operations
BUSY
has no relation to valid output data.
4. Start of valid data depends on which timng becomes effective last t
AOE
, t
ACE
, t
AA
or t
BDD
.
5.
SEM
= V
IH
.
6. Refer to Chip Enable Truth Table.
t
RC
R/
W
CE
ADDR
t
AA
t
ACE
OE
UB
,
LB
3199 drw 05
(4)
(4)
t
AOE
(4)
t
ABE
(4)
(1)
t
LZ
t
OH
(2)
t
HZ
(3,4)
t
BDD
DATA
OUT
BUSY
OUT
VALID DATA
(4)
(6)
CE
3199 drw 06
t
PU
I
CC
I
SB
t
PD
50%
50%
(6)
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT7027S20PF P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET; Package: SSOT-6; No of Pins: 6; Container: Tape & Reel
IDT7027S20PFB P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
IDT7027S20PFI -20V P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET; Package: SSOT-6; No of Pins: 6; Container: Tape & Reel
IDT7027S25G -30V P-Channel PowerTrench MOSFET; Package: SSOT-6; No of Pins: 6; Container: Tape & Reel
IDT7027S25GB HIGH-SPEED 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT7027S20PF 功能描述:IC SRAM 512KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口,同步 存儲(chǔ)容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA(17x17) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT7027S20PF8 功能描述:IC SRAM 512KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口,同步 存儲(chǔ)容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA(17x17) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT7027S25G 功能描述:IC SRAM 512KBIT 25NS 108PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT7027S25PF 功能描述:IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口,同步 存儲(chǔ)容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA(17x17) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT7027S25PF8 功能描述:IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口,同步 存儲(chǔ)容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA(17x17) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8