參數(shù)資料
型號(hào)： IDT7027S20PFB
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
中文描述： 高速32K的× 16 DUAL-PORT靜態(tài)RAM
文件頁數(shù)： 12/19頁
文件大?。?/td> 160K
代理商： IDT7027S20PFB
6.42
IDT7027S/L
High-Speed 32K x 16 Dual-Port Static RAM Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
NOTES:
1. Port-to-port delay through RAMcells fromwriting port to reading port, refer to "Timng Waveformof Write with Port-to-Port Read and
BUSY
(M/
S
= V
IH
)".
2. To ensure that the earlier of the two ports wins.
3. t
BDD
is a calculated parameter and is the greater of 0, t
WDD
–
t
WP
(actual), or t
DDD
–
t
DW
(actual).
4. To ensure that the write cycle is inhibited on port "B" during contention on port "A".
5. To ensure that a write cycle is completed on port "B" after contention on port "A".
6. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
7. Industrial temperature: for other speeds, packages and powers contact your sales office.
)%68%
6$,/9:+
>
7027X20
Com'l Only
7027X25
Com'l, Ind.
& Mlitary
7027X35
Com'l &
Mlitary
7027X55
Com'l &
Mlitary
Symbol
Parameter
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Unit
BUSY
TIMING (M/
S
=V
IH
)
t
BAA
BUSY
Access Time fromAddress Match
____
20
____
20
____
20
____
45
ns
t
BDA
BUSY
Disable Time fromAddress Not Matched
____
20
____
20
____
20
____
40
ns
t
BAC
BUSY
Access Time fromChip Enable Low
____
20
____
20
____
20
____
40
ns
t
BDC
BUSY
Access Time fromChip Enable High
____
17
____
17
____
20
____
35
ns
t
APS
Arbitration Priority Set-up Time
(2)
5
____
5
____
5
____
5
____
ns
t
BDD
BUSY
Disable to Valid Data
(3)
____
30
____
30
____
35
____
40
ns
t
WH
Write Hold After
BUSY
(5)
15
____
17
____
25
____
25
____
ns
BUSY
TIMING (M/
S
=V
IL
)
t
WB
BUSY
Input to Write
(4)
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t
WH
Write Hold After
BUSY
(5)
15
____
17
____
25
____
25
____
ns
PORT-TO-PORT DELAY TIMING
t
WDD
Write Pulse to Data Delay
(1)
____
45
____
50
____
60
____
80
ns
t
DDD
Write Data Valid to Read Data Delay
(1)
____
30
____
35
____
45
____
65
ns
3199 tbl 14
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT7027S20PFI -20V P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET; Package: SSOT-6; No of Pins: 6; Container: Tape & Reel
IDT7027S25G -30V P-Channel PowerTrench MOSFET; Package: SSOT-6; No of Pins: 6; Container: Tape & Reel
IDT7027S25GB HIGH-SPEED 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7027S25GI HIGH-SPEED 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7027S25PF HIGH-SPEED 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT7027S25G 功能描述:IC SRAM 512KBIT 25NS 108PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT7027S25PF 功能描述:IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT7027S25PF8 功能描述:IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT7027S25PFI 功能描述:IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
IDT7027S25PFI8 功能描述:IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
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