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參數(shù)資料
| 型號： | IDT7027S35GI |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET; Package: SSOT-6; No of Pins: 6; Container: Tape & Reel |
| 中文描述： | 高速32K的× 16 DUAL-PORT靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 8/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 160K |
| 代理商： | IDT7027S35GI |
6.42
IDT7027S/L
High-Speed 32K x 16 Dual-Port Static RAM Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
.8+,9
2
$A*BA*A
NOTES:
1. Timng depends on which signal is asserted last,
CE
,
OE
,
LB
, or
UB
.
2. Timng depends on which signal is de-asserted first
CE
,
OE
,
LB
, or
UB
.
3. t
BDD
delay is required only in cases where the opposite port is completing a write operation to the same address location. For simultaneous read operations
BUSY
has no relation to valid output data.
4. Start of valid data depends on which timng becomes effective last t
AOE
, t
ACE
, t
AA
or t
BDD
.
5.
SEM
= V
IH
.
6. Refer to Chip Enable Truth Table.
t
RC
R/
W
CE
ADDR
t
AA
t
ACE
OE
UB
,
LB
3199 drw 05
(4)
(4)
t
AOE
(4)
t
ABE
(4)
(1)
t
LZ
t
OH
(2)
t
HZ
(3,4)
t
BDD
DATA
OUT
BUSY
OUT
VALID DATA
(4)
(6)
CE
3199 drw 06
t
PU
I
CC
I
SB
t
PD
50%
50%
(6)
.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7027S35PF | Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| IDT7027S35PFB | Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET; Package: SSOT-6; No of Pins: 6; Container: Tape & Reel |
| IDT7027L35G | HIGH-SPEED 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7027L35GB | HIGH-SPEED 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7027L35GI | HIGH-SPEED 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT7027S35PF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT7027S35PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT7027S55G | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 55NS 108PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT7027S55PF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 55NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT7027S55PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 55NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
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