- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377271 > IDT707278S15PF (INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC) Low-Noise JFET-Input Operational Amplifier 8-PDIP 0 to 70 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IDT707278S15PF |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Low-Noise JFET-Input Operational Amplifier 8-PDIP 0 to 70 |
| 中文描述： | 32K X 16 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 15/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 135K |
| 代理商： | IDT707278S15PF |
6.42
IDT707278S/L
32K x 16 Bank-Switchable Dual-Ported SRAM with External Bank Selects Industrial and Commercial Temperature Ranges
15
3739 drw 14
IDT707278
Bank-Switchable
SRAM
CE
0
CE
1
CE
1
CE
0
CE
0
CE
1
A
13
(1)
CE
1
CE
0
V
CC
V
CC
IDT707278
Bank-Switchable
SRAM
Control Inputs
IDT707278
Bank-Switchable
SRAM
IDT707278
Bank-Switchable
SRAM
Control Inputs
Control Inputs
Control Inputs
BKSEL
0-3
R/
W
LB
,
UB
OE
.
$*,*$-(
The IDT707278 features dual chip enables (refer to Truth Table I) in
order to facilitate rapid and simple depth expansion with no requirements
for external logic. Figure 4 illustrates how to control the various chip
enables in order to expand two devices in depth.
The IDT707278 can also be used in applications requiring expanded
Figure 4. Depth and Width Expansion with IDT707278
width, as indicated in Figure 4. Since the banks are allocated at the
discretion of the user, the external controller can be set up to drive the input
signals for the various devices as required to allow for 32-bit or wider
applications.
NOTE:
1. This signal is provided by external logic. It is not a bit present on the address bus.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT707278S15PFI | Low-Noise JFET-Input Operational Amplifier 8-PDIP 0 to 70 |
| IDT70824S45PF | HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩) |
| IDT70824S45PFB | HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩) |
| IDT70824L35GB | HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩) |
| IDT70824L35PF | TRANS NPN W/RES 30 HFE S-MINI 3P |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70824L20G | 功能描述:IC SARAM 64KBIT 20NS 84PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| IDT70824L20PF | 功能描述:IC SARAM 64KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| IDT70824L20PF8 | 功能描述:IC SARAM 64KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| IDT70824L25G | 功能描述:IC SARAM 64KBIT 25NS 84PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| IDT70824L25PF | 功能描述:IC SARAM 64KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。