參數(shù)資料
型號(hào)： IDT707278S20PF
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 32K x 16 BANK-SWITCHABLE DUAL-PORTED SRAM WITH EXTERNAL BANK SELECTS
中文描述： 32K X 16 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQFP100
封裝： 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
文件頁數(shù)： 10/16頁
文件大?。?/td> 135K
代理商： IDT707278S20PF
6.42
IDT707278S/L
32K x 16 Bank-Switchable Dual-Ported SRAM with External Bank Selects Industrial and Commercial Temperature Ranges
10
,1)*
."
#A/BA/A
t
RC
R/
W
CE
ADDR
t
AA
t
ACE
OE
UB
,
LB
3739 drw 06
(3)
(3)
t
AOE
(3)
t
ABE
(3)
(1)
t
LZ
t
OH
(2)
t
HZ
DATA
OUT
VALID DATA
(3)
(5)
NOTES:
1. Timng depends on which signal is asserted last,
CE
,
OE
,
LB
, or
UB
.
2. Timng depends on which signal is de-asserted first
CE
,
OE
,
LB
, or
UB
.
3. Start of valid data depends on which timng becomes effective last: t
AOE
, t
ACE
, t
ABE
, or t
AA
.
4.
MBSEL
= V
IH
.
5. Refer to Truth Table I.
CE
3739 drw 07
t
PU
I
CC
I
SB
t
PD
50%
50%
(5)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT707278S20PFI HIGH-SPEED 32K x 16 BANK-SWITCHABLE DUAL-PORTED SRAM WITH EXTERNAL BANK SELECTS
IDT707278S25PF HIGH-SPEED 32K x 16 BANK-SWITCHABLE DUAL-PORTED SRAM WITH EXTERNAL BANK SELECTS
IDT707278S25PFI HIGH-SPEED 32K x 16 BANK-SWITCHABLE DUAL-PORTED SRAM WITH EXTERNAL BANK SELECTS
IDT707278 Dual Low-Noise JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier 8-PDIP -40 to 85
IDT707278L Dual Low-Noise JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier 8-PDIP -40 to 85
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70824L20G 功能描述:IC SARAM 64KBIT 20NS 84PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70824L20PF 功能描述:IC SARAM 64KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70824L20PF8 功能描述:IC SARAM 64KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70824L25G 功能描述:IC SARAM 64KBIT 25NS 84PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70824L25PF 功能描述:IC SARAM 64KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
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