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參數(shù)資料
| 型號： | IDT70824L35PFB |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | TRANS NPN W/RES 20 HFE S-MINI 3P |
| 中文描述： | 4K X 16 STANDARD SRAM, 35 ns, PQFP80 |
| 封裝： | TQFP-80 |
| 文件頁數(shù)： | 20/21頁 |
| 文件大小： | 205K |
| 代理商： | IDT70824L35PFB |
20
IDT70824S/L
High-Speed 4K x 16 Sequential Access Random Access Memory Military and Commercial Temperature Ranges
#=)
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!
NOTES:
1. The sequential port is in the STOP mode and is being restarted fromthe randomport by the Bit 4 Counter Release (see Case 5).
2. "0" is written to Bit 4 fromthe randomport at address [A
2
- A
0
] = 100, when
CMD
= V
IL
and
CE
= V
IH
. The device is in the Buffer Command Mode (see Case 5).
3. CLR is an internal signal only and is shown for reference only.
4. Sequential port must also prohibit SR/
W
or
SCE
frombeing LOW for t
WERS
and t
RSRC
periods or SCLK must not toggle fromLOW-to-HIGH until after t
RSRC
.
t
RSPW
RST
R/
W
, SR/
W CMD
or (
UB
+
LB
)
t
RSRC
t
WERS
EOB
(1 or 2)
Flag Valid
t
RSFV
3099 drw 25
(4)
t
FS
SCLK
R/
W
(Internal Signal)
2-5ns
6-7ns
0.5 x t
CYC
3099 drw 26
CLR
Block
(3)
(2)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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