參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70824L45PF
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
中文描述： 4K X 16 STANDARD SRAM, 45 ns, PQFP80
封裝： TQFP-80
文件頁數(shù)： 2/21頁
文件大?。?/td> 205K
代理商： IDT70824L45PF
2
IDT70824S/L
High-Speed 4K x 16 Sequential Access Random Access Memory Military and Commercial Temperature Ranges
3099 drw 02
4
5
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INDEX
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45
44
70 69 68 67 66 65
IDT70824PF
PN80-1
(4)
80-Pin TQFP
Top View
(5)
G
G
G
V
C
V
C
G
V
C
N
G
G
V
CC
V
CC
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CMD
CE
LB
UB
R/
W
OE
A
11
SSTRT
1
GND
SCLK
GND
EOB
2
EOB
1
SI/O
0
GND
N/C
SCE
SR/
W
RST
I/O
0
CNTEN
SOE
SLD
SSTRT
2
SI/O
1
GND
V
CC
I
1
I
1
I
1
I
1
I
1
I
2
I
3
V
C
I
4
I
5
I
7
I
6
I
9
I
1
I
1
I
8
S
9
S
7
S
5
S
1
S
1
S
1
S
8
S
1
S
1
S
4
S
3
S
2
S
1
S
6
,
NOTES:
1. All V
CC
pins must be connected to power supply.
2. All GND pins must be connected to ground supply.
3. PN80-1 package body is approximately 14mmx 14mmx 1.4mm
G84-3 package body is approximately 1.12 in x 1.12 in x .16 in.
4. This package code is used to reference the package diagram
5. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
quencing for the sequential (synchronous) access port.
Fabricated using CMOS high-performance technology, this memory
device typically operates on less than 775mW of power at maximumhigh-
speed clock-to-data and RandomAccess. An automatic power down
feature, controlled by
CE
, permts the on-chip circuitry of each port to enter
a very low standby power mode.
The IDT70824 is packaged in a 80-pin Thin Quad Flatpack (TQFP)
or 84-pin Pin Grid Array (PGA). Mlitary grade product is manufactured
in compliance with the latest revision of MIL-PRF-38535 QML, making it
ideally suited to mlitary temperature applications demanding the highest
level of performance and reliability.
!
,
3099 drw 03
63
61
V
CC
60
EOB
1
58
55
54
51
48
46
45
GND
66
67
69
72
75
76
I/O
10
79
I/O
12
81
I/O
14
82
I/O
15
GND
83
1
2
5
7
CMD
8
11
V
CC
10
V
CC
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SI/O
14
SI/O
13
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SI/O
12
29
V
CC
SI/O
11
32
SI/O
9
SI/O
10
SI/O
6
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33
SI/O
8
SI/O
7
GND
35
38
SI/O
4
SI/O
5
41
SI/O
2
V
CC
43
SI/O
1
SI/O
3
IDT70824G
G84-3
(4)
84-Pin PGA
Top View
(5)
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
42
59
56
49
RST
50
SLD
40
25
SI/O
15
27
30
36
34
37
39
84
3
4
6
9
15
13
16
18
22
GND
24
GND
19
21
68
71
70
I/O
5
77
I/O
11
80
I/O
13
11
10
09
08
07
06
05
04
03
02
01
64
NC
65
GND
62
57
SCLK GND
53
52
47
SCE
SI/O
0
44
73
GND
74
I/O
8
78
V
CC
A
3
NC
R/
W
UB
A
1
CE
A
5
A
6
A
8
A
9
A
11
NC
A
2
NC
I/O
9
I/O
4
I/O
3
SSTRT
1
I/O
7
I/O
6
I/O
0
EOB
2
SOE
I/O
1
GND
CNTEN
GND
SSTRT
2
SR/
W
NC
NC
OE
A
0
LB
A
10
A
4
A
7
I/O
2
V
CC
Pin 1
Designator
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70824L45PFB TRANS NPN W/RES 80 HFE SMINI-3
IDT70824L20PF HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
IDT70824L20PFB HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
IDT70824L35G HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
IDT70824S35PF HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70824S20G 功能描述:IC SARAM 64KBIT 20NS 84PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70824S20PF 功能描述:IC SARAM 64KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70824S20PF8 功能描述:IC SARAM 64KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70824S25G 功能描述:IC SARAM 64KBIT 25NS 84PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70824S25PF 功能描述:IC SARAM 64KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
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