參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70824S25GB
廠(chǎng)商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
中文描述： 高速4K的× 16順序訪(fǎng)問(wèn)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（單存取RAM⑩）
文件頁(yè)數(shù)： 5/21頁(yè)
文件大小： 205K
代理商： IDT70824S25GB
6.42
IDT70824S/L
High-Speed 4K x 16 Sequential Access Random Access Memory Military and Commercial Temperature Ranges
5/36/3
)#$24
9!
4
*,.478!
/36)
432!
4
:.44
;
<4
=.4!
NOTES
1. 'X' in part number indicates power rating (S or L).
2. V
CC
= 5V, T
A
= +25°C; guaranteed by device characterization but not production tested.
3. At f = f
MAX
, address, control lines (except Output Enable), and SCLK are cycling at the maximumfrequency read cycle of 1/t
RC
.
4. f = 0 means no address or control lines change.
5.
SCE
may transition, but is Low (SCE=V
IL
) when clocked in by SCLK.
6.
SCE
may be - 0.2V, after it is clocked in, since SCLK=V
IH
must be clocked in prior to powerdown.
7. If one port is enabled (either
CE
or
SCE
= LOW) then the other port is disabled (
SCE
or
CE
= HIGH, respectively). CMOS HIGH > Vcc - 0.2V and LOW < 0.2V, and
TTL HIGH = V
IH
and LOW = V
IL
.
8. Industrial temperature: for specific speeds, packages and powers contact your sales office.
NOTES :
1. T
A
= +25
°
C, V
CC
= 2V; guaranteed by device characterization but not production tested.
2. t
RC
= Read Cycle Time
3. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
4. To initiate data retention,
SCE
= V
IH
must be clocked in.
70824X20
Com'l Only
70824X25
Com'l Only
70824X35
Com'l &
Mlitary
70824X45
Com'l &
Mlitary
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ.
(2)
Max.
Typ.
(2)
Max.
Typ.
(2)
Max.
Typ.
(2)
Max.
Unit
I
CC
Dynamc Operating
Current
(Both Ports Active)
CE
L
and
CE
R
= V
IL
,
Outputs Open
SCE
= V
IL
(5)
f = f
MAX
(3)
COML
S
L
180
180
380
330
170
170
360
310
160
160
340
290
155
155
340
290
mA
MIL &
IND
S
L
____
____
____
____
____
____
____
____
160
160
400
340
155
155
400
340
I
SB1
Standby Current
(Both Ports - TTL
Level Inputs)
SCE
and
CE
= V
IH
(7)
CMD
= V
IH
f = f
MAX
(3)
COML
S
L
25
25
70
50
25
25
70
50
20
20
70
50
16
16
70
50
mA
MIL &
IND
S
L
____
____
____
____
____
____
____
____
20
20
85
65
16
16
85
65
I
SB2
Standby Current
(One Port - TTL
Level Inputs)
CE
or
SCE
= V
IH
Active Port Outputs Open,
f=f
MAX
(3)
COML
S
L
115
115
260
230
105
105
250
220
95
95
240
210
90
90
240
210
mA
MIL &
IND
S
L
____
____
____
____
____
____
____
____
95
95
290
250
90
90
290
250
I
SB3
Full Standby Current
(Both Ports -
CMOS Level Inputs)
Both Ports
CE
and
SCE
> V
CC
- 0.2V
(6)
V
IN
> V
CC
- 0.2V or
V
< 0.
2V,
f = 0
(4)
COML
S
L
1.0
0.2
15
5
1.0
0.2
15
5
1.0
0.2
15
5
1.0
0.2
15
5
mA
MIL &
IND
S
L
____
____
____
____
____
____
____
____
1.0
0.2
30
10
1.0
0.2
30
10
I
SB4
Full Standby Current
(One Port -
CMOS Level Inputs)
One Port
CE
or
SCE
> V
CC
- 0.2V
(6,7)
Outputs Open (Active Port)
f = f
MAX
(3)
V
IN
> V
CC
- 0.2V or V
IN
< 0.2V
COML
S
L
110
110
240
200
100
100
230
190
90
90
220
180
85
85
220
180
mA
MIL &
IND
S
L
____
____
____
____
____
____
____
____
90
90
260
215
85
85
260
215
3099 tbl 08
Symbol
Parameter
Test Condition
Mn.
Typ.
(1)
Max.
Unit
V
DR
V
CC
for Data Retention
V
CC
= 2V
2.0
___
___
V
I
CCDR
Data Retention Current
CE
= V
HC
V
IN
= V
HC
or = V
LC
MIL. & IND.
___
100
4000
μA
COML.
___
100
1500
t
CDR
(3)
Chip Deselect to Data Retention Time
SCE
= V
HC
(4)
when SCLK = u
CMD
> V
HC
___
___
___
V
t
R
(
3)
Operation Recovery Time
t
RC
(2)
___
___
V
3099 tbl 09
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70824S25PF HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
IDT70824S25PFB HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
IDT70824S35G HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
IDT70824S35GB HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
IDT70824L Low-Noise JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70
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參數(shù)描述
IDT70824S25PF 功能描述:IC SARAM 64KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ
IDT70824S25PF8 功能描述:IC SARAM 64KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ
IDT70824S35G 功能描述:IC SARAM 64KBIT 35NS 84PGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ
IDT70824S35PF 功能描述:IC SARAM 64KBIT 35NS 80TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ
IDT70824S35PF8 功能描述:IC SARAM 64KBIT 35NS 80TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ
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