參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70824S45G
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
中文描述： 4K X 16 STANDARD SRAM, 45 ns, CPGA84
封裝： PGA-84
文件頁(yè)數(shù)： 21/21頁(yè)
文件大?。?/td> 205K
代理商： IDT70824S45G
6.42
IDT70824S/L
High-Speed 4K x 16 Sequential Access Random Access Memory Military and Commercial Temperature Ranges
3#
NOTE:
1. Industrial temperature range is available on selected TQFP packages in standard power.
For specific speeds, packages and powers contact your sales office.
3099 drw 27
X
Power
XX
Speed
X
Package
X
Process/
Temperature
Range
Blank
I
(1)
B
Commercial (0
°
C to +70
°
C)
Industrial (-40
°
C to +85
°
C)
Military (–55
°
C to +125
°
C)
Compliant to MIL-PRF-38535 QML
84-pin PGA (G84-3)
80-pin TQFP (PN80-1)
G
PF
20
25
35
45
S
L
Standard Power
Low Power
70824
Device
Type
64K (4K x 16) Sequential Access Random Access
Memory
70824
IDT
Speed in nanoseconds
Commercial Only
Commercial Only
Commercial & Military
Commercial & Military
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2975 Stender Way
Santa Clara, CA 95054
for SALES:
800-345-7015 or 408-727-6166
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www.idt.com
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/;2
3/8/99:
Initiated datasheet document history
Converted to new format
Cosmetic and typographical corrections
Page 2 Added additional notes to pin configurations
Changed drawing format
Replaced IDT logo
Page 3 Added "Outputs" in Sequential pin description table
Changed ±200mV to 0mV in notes
6/4/99:
11/10/99:
4/18/00:
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70824S45GB HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
IDT70824S20G HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
IDT70824S20GB HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
IDT70824S20PF MCX PLUG R/A SEMI-RIGID, RG405 RoHS Compliant: Yes
IDT70824S20PFB HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70825L20G 功能描述:IC SARAM 128KBIT 20NS 84PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70825L20PF 功能描述:IC SARAM 128KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70825L20PF8 功能描述:IC SARAM 128KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70825L20PFI 功能描述:IC SARAM 128KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70825L20PFI8 功能描述:IC SARAM 128KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
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