參數(shù)資料
型號： IDT70824S45PFB
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
中文描述： 4K X 16 STANDARD SRAM, 45 ns, PQFP80
封裝： TQFP-80
文件頁數(shù)： 11/21頁
文件大?。?/td> 205K
代理商： IDT70824S45PFB
6.42
IDT70824S/L
High-Speed 4K x 16 Sequential Access Random Access Memory Military and Commercial Temperature Ranges
#"5/36
/3)#$24
C,!
#"5/
36/3)#$24
C,!
NOTES:
1. Transition measured at 0mV fromsteady state. This parameter is guaranteed with the AC Output Test Load (Figure 1) by device characterization, but is not
production tested.
2. 'X' in part number indicates power rating (S or L).
3.
OE
is continuously HIGH,
OE
= V
IH
. If during the R/
W
controlled write cycle the
OE
is LOW, t
WP
must be greater or equal to t
WHZ
+ t
DW
to allow the I/O drivers to
turn off and on the data to be placed on the bus for the required t
DW
. If
OE
is HIGH during the R/
W
controlled write cycle, this requirement does not apply and the mnimum
write pulse is the specified t
WP
. For the
CE
controlled write cycle,
OE
may be LOW with no degradation to t
CW
timng.
4.
CMD
access follows standard timng listed for both read and write accesses, (
CE
= V
IH
when
CMD
= V
IL
) or (
CMD
= V
IH
when
CE
= V
IL
).
5. Industrial temperature: for specific speeds, packages and powers contact your sales office.
70824X20
Com'l Only
70824X25
Com'l Only
70824X35
Com'l &
Military
70824X45
Com'l &
Military
Unit
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
READ CYCLE
t
RC
Read Cycle Time
20
____
25
____
35
____
45
____
ns
t
AA
Address Access Time
____
20
____
25
____
35
____
45
ns
t
ACE
Chip Enable Access Time
____
20
____
25
____
35
____
45
ns
t
BE
Byte Enable Access Time
____
20
____
25
____
35
____
45
ns
t
OE
Output Enable Access Time
____
10
____
10
____
15
____
20
ns
t
OH
Output Hold fromAddress Change
3
____
3
____
3
____
3
____
ns
t
CLZ
Chip Select Low-Z Time
(1)
3
____
3
____
3
____
3
____
ns
t
BLZ
Byte Select Low-Z Time
(1)
3
____
3
____
3
____
3
____
ns
t
OLZ
Output Enable Low-Z Time
(1)
2
____
2
____
2
____
2
____
ns
t
CHZ
Chip Select High-Z Time
(1)
____
10
.____
12
____
15
____
15
ns
t
BHZ
Byte Select High-Z Time
(1)
____
10
____
12
____
15
____
15
ns
t
OHZ
Output Select High-Z Time
(1)
____
9
____
11
____
15
____
15
ns
t
PU
Chip Select Power-Up Time
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t
PD
Chip Select Power-Down Time
____
20
____
25
____
35
____
45
ns
3099 tbl 20
Symbol
Parameter
70824X20
Com'l Only
70824X25
Com'l Only
70824X35
Com'l &
Military
70824X45
Com'l &
Military
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
WRITE CYCLE
t
WC
Write Cycle Time
20
____
25
____
35
____
45
____
ns
t
CW
Chip Enable to End-of-Write
15
____
20
____
25
____
30
____
ns
t
AW
Address Valid to End-of-Write
(3)
15
____
20
____
25
____
30
____
ns
t
AS
Address Set-up Time
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t
WP
Write Pulse Width
(3)
13
____
20
____
25
____
30
____
ns
t
BP
Byte Enable Pulse Width
(3)
15
____
20
____
25
____
30
____
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t
WHZ
Write Enable Output High-Z Time
(1)
____
10
____
12
____
15
____
15
ns
t
DW
Data Set-up Time
13
____
15
____
20
____
25
____
ns
t
DH
Data Hold Time
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t
OW
Output Active fromEnd-of-Write
3
____
3
____
3
____
3
____
ns
3099 tbl 21
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70824L35GB HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
IDT70824L35PF TRANS NPN W/RES 30 HFE S-MINI 3P
IDT70824L35PFB TRANS NPN W/RES 20 HFE S-MINI 3P
IDT70824L45PF HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
IDT70824L45PFB TRANS NPN W/RES 80 HFE SMINI-3
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