參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70825S35PF
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： Quad Low-Noise JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier 14-SO 0 to 70
中文描述： 8K X 16 STANDARD SRAM, 35 ns, PQFP80
封裝： TQFP-80
文件頁(yè)數(shù)： 16/21頁(yè)
文件大?。?/td> 319K
代理商： IDT70825S35PF
6.31
16
IDT70825S/L
HIGH-SPEED 8K x 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
SEQUENTIAL PORT WAVEFORM: READ STRT/EOB FLAG TIMING
t
CYC
t
CH
t
CL
CNTEN
(2)
t
OLZ
t
OHZ
D1
D2
SSTRT
1/2
SR/
W
SCE
SOE
SCLK
t
EH
t
ES
t
EH
t
ES
(4)
(1)
Dx
HIGH IMPEDANCE
t
WS
t
WH
t
WS
t
WH
t
CD
t
SOE
t
WS
t
WH
t
WS
t
WH
(2)
D3
t
DS
t
DH
D0
t
CKLZ
(3)
(5)
EOB
1/2
t
EB
SI/O
IN
SI/O
OUT
3016 drw 19
NOTES:
1. If
SSTRT
1
or
SSTRT
2
= V
IL
, then address will be clocked in on the SCLK's rising edge.
2. If
CNTEN
= V
IH
for the SCLK's rising edge, the internal address counter will not advance.
3.
SOE
will control the output and should be High on Power-Up. If
SCE
= V
IL
and is clocked in while SR/
W
= V
IH
, the data addressed will be read out within
that cycle. If
SCE
= V
IL
and is clocked in while SR/
W
= V
IL
, the data addressed will be written to if the last cycle was a Read.
SOE
may be used to control
the bus contention and permit a Write on this cycle.
4. Unlike
SLD
case,
CNTEN
is not disabled on cycle immediately following
SSTRT
.
5. If SR/
W
= V
IL
, data would be written to D0 again since
CNTEN
= V
IH
.
6.
SOE
= V
IL
makes no difference at this point since the SR/
W
= V
IL
disables the output until SR/
W
= V
IH
is clocked in on the next rising clock edge.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70825S35PFB Quad Low-Noise JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier 14-SO 0 to 70
IDT70825S45G Quad Low-Noise JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier 14-TSSOP 0 to 70
IDT70825S45GB Quad Low-Noise JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier 14-TSSOP 0 to 70
IDT70825S45PF Quad Low-Noise JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier 14-TSSOP 0 to 70
IDT70825S45PFB HIGH-SPEED 8K x 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IDT709079L12PF 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT709079L12PF8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT709079L12PFI 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT709079L12PFI8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
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