型號: | IDT70T3339S133BF |
廠商: | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
元件分類: | DRAM |
英文描述: | JFET-Input Operational Amplifier 8-TSSOP 0 to 70 |
中文描述: | 512K X 18 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PBGA208 |
封裝: | 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FPBGA-208 |
文件頁數(shù): | 9/15頁 |
文件大小: | 190K |
代理商: | IDT70T3339S133BF |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IDT70T3339S133BFI | JFET-Input Operational Amplifier 8-TSSOP 0 to 70 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IDT70T3339S133BFGI | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208FPBGA |
IDT70T3339S133BFI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
IDT70T3339S133BFI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
IDT70T3339S166BC | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |