參數(shù)資料
型號: IDT70T659S8BF
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: DRAM
英文描述: JFET-Input Operational Amplifier 14-SOIC 0 to 70
中文描述: 128K X 36 DUAL-PORT SRAM, 8 ns, PBGA208
封裝: FBGA-208
文件頁數(shù): 12/15頁
文件大?。?/td> 190K
代理商: IDT70T659S8BF
6.42
IDT70V9379L
High-Speed 32K x 18 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
6
AC Test Conditions
Figure 1. AC Output Test load.
Figure 2. Output Test Load
(For tCKLZ, tCKHZ, tOLZ, and tOHZ).
*Including scope and jig.
Figure 3. Typical Output Derating (Lumped Capacitive Load).
4857 drw 04
590
30pF
435
3.3V
DATAOUT
590
5pF*
435
3.3V
DATAOUT
4857 drw 03
1
2
3
4
5
6
7
8
20 40
100
60 80
120 140 160 180 200
tCD1
,
tCD2
(Typical, ns)
Capacitance (pF)
4857 drw 05
-1
0
- 10pF is the I/O capacitance
of this device, and 30pF is the
AC Test Load Capacitance
.
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
3ns Max.
1.5V
Figures 1, 2, and 3
4857 tbl 10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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IDT70T9159L12BF 功能描述:IC SRAM 72KBIT 12NS 100FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口,異步 存儲容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
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