- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377281 > IDT70V18L (Integrated Device Technology, Inc.) HIGH-SPEED 3.3V 64K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IDT70V18L |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 64K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 高速3.3 64K的× 9雙端口靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 6/17頁 |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | IDT70V18L |
IDT70V18L
High-Speed 3.3V 64K x 9 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Preliminary
6
)=:=:=
8;'+
/#
NOTES:
1. Timng depends on which signal is asserted last,
OE
or
CE
.
2. Timng depends on which signal is de-asserted first
CE
or
OE
.
3. t
BDD
delay is required only in cases where the opposite port is completing a write operation to the same address location. For simultaneous read operations
BUSY
has no
relation to valid output data.
4. Start of valid data depends on which timng becomes effective last t
AOE
, t
ACE
, t
AA
or t
BDD
.
5.
SEM
= V
IH
.
6. Refer toTruth Table I - Chip Enable.
CE
(6)
4854 drw 06
t
PU
I
CC
I
SB
t
PD
50%
50%
.
t
RC
R/
W
CE
(6)
ADDR
t
AA
t
ACE
OE
4854 drw 05
(4)
(4)
t
AOE
(4)
(1)
t
LZ
t
OH
(2)
t
HZ
(3,4)
t
BDD
DATA
OUT
BUSY
OUT
VALID DATA
(4)
)'
Input Pulse Levels
Figure 1. AC Output Load
Input Rise/Fall Times
Input Timng Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
3ns Max.
1.5V
1.5V
Figures 1 and 2
4854 tbl 11
4854 drw04
590
30pF
435
3.3V
DATA
OUT
BUSY
INT
590
5pF*
435
3.3V
DATA
OUT
4854 drw 03
Figure 2. Output Test Load
(for t
LZ
, t
HZ
, t
WZ
, t
OW
)
*Including scope and jig.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V18L15PF | HIGH-SPEED 3.3V 64K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V18L15PFI | HIGH-SPEED 3.3V 64K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V18L20PF | HIGH-SPEED 3.3V 64K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V18L20PFI | HIGH-SPEED 3.3V 64K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V24L15PF | HIGH-SPEED 3.3V 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70V18L15PF | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V18L15PF8 | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V18L20PF | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V18L20PF8 | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V18L20PFI | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。