參數(shù)資料
型號： IDT70V25L20G
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 3.3V 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述： 8K X 16 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, CPGA84
封裝： 1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, CERAMIC, PGA-84
文件頁數(shù)： 6/22頁
文件大小： 186K
代理商： IDT70V25L20G
6.42
IDT70V25S/L
High-Speed 8K x 16 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
9%0:%0
$+.12*
2
3#2;#2
NOTES:
1. 'X' in part number indicates power rating (S or L)
2. V
CC
= 3.3V, T
A
= +25
°
C, and are not production tested. Icc dc
=
115mA (typ.)
3. At f = f
MAX
,
address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximumfrequency read cycle of 1/t
RC
, and using
“
AC Test Conditions
”
of input levels of GND
to 3V.
4. f = 0 means no address or control lines change.
5. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite fromport "A".
70V25X15
Com'l Only
70V25X20
Com'l
& Ind
70V25X25
Com'l
& Ind
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ.
(2)
Max.
Typ.
(2)
Max.
Typ.
(2)
Max.
Unit
I
CC
Dynamc Operating
Current
(Both Ports Active)
CE
= V
IL
, Outputs Open
SEM
= V
IH
f = f
MAX
(3)
COML
S
L
150
140
215
185
140
130
200
175
130
125
190
165
mA
IND
S
L
____
____
____
____
140
130
225
195
130
125
210
180
I
SB1
Standby Current
(Both Ports - TTL
Level Inputs)
CE
R
and
CE
L
= V
IH
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
f = f
MAX
(3)
COML
S
L
25
20
35
30
20
15
30
25
16
13
30
25
mA
MIL &
IND
S
L
____
____
____
____
20
15
45
40
16
13
45
40
I
SB2
Standby Current
(One Port - TTL
Level Inputs)
CE
"A"
= V
IL
and
CE
"B"
= V
IH
(5)
Active Port Outputs Open,
f=f
MAX
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
COML
S
L
85
80
120
110
80
75
110
100
75
72
110
95
mA
MIL &
IND
S
L
____
____
____
____
80
75
130
115
75
72
125
110
I
SB3
Full Standby Current
(Both Ports -
CMOS Level Inputs)
Both Ports
CE
L
and
CE
R
> V
CC
- 0.2V,
V
IN
> V
CC
- 0.2V or
V
< 0.2V, f = 0
(4)
SEM
R
=
SEM
L
> V
CC
-0.2V
COML
S
L
1.0
0.2
5
2.5
1.0
0.2
5
2.5
1.0
0.2
5
2.5
mA
MIL &
IND
S
L
____
____
____
____
1.0
0.2
15
5
1.0
0.2
15
5
I
SB4
Full Standby Current
(One Port -
CMOS Level Inputs)
CE
"A"
< 0.2V and
CE
"B"
> V
- 0.2V
(5)
SEM
R
=
SEM
L
> V
CC
-0.2V
V
IN
> V
CC
- 0.2V or V
IN
< 0.2V
Active Port Outputs Open,
f = f
MAX
(3)
COML
S
L
85
80
125
105
80
75
115
100
75
70
105
90
mA
MIL &
IND
S
L
____
____
____
____
80
75
130
115
75
70
120
105
2944 tbl 09a
70V25X35
Com'l
& Ind
70V25X55
Com'l
& Ind
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ.
(2)
Max.
Typ.
(2)
Max.
Unit
I
CC
Dynamic Operating
Current
(Both Ports Active)
CE
= V
IL
, Outputs Open
SEM
= V
IH
f = f
MAX
(3)
COML
S
L
120
115
180
155
120
115
180
155
mA
IND
S
L
120
115
200
170
120
115
200
170
I
SB1
Standby Current
(Both Ports - TTL
Level Inputs)
CE
R
and
CE
L
= V
IH
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
f = f
MAX
(3)
COML
S
L
13
11
25
20
13
11
25
20
mA
MIL &
IND
S
L
13
11
40
35
13
11
40
35
I
SB2
Standby Current
(One Port - TTL
Level Inputs)
CE
"A"
= V
IL
and
CE
"B"
= V
IH
(5)
Active Port Outputs Open,
f=f
MAX
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
COML
S
L
70
65
100
90
70
65
100
90
mA
MIL &
IND
S
L
70
65
120
105
70
65
120
105
I
SB3
Full Standby Current
(Both Ports -
CMOS Level Inputs)
Both Ports
CE
L
and
CE
R
> V
CC
- 0.2V,
V
IN
> V
CC
- 0.2V or
V
< 0.2V, f = 0
SEM
R
=
SEM
L
> V
CC
-0.2V
COML
S
L
1.0
0.2
5
2.5
1.0
0.2
5
2.5
mA
MIL &
IND
S
L
1.0
0.2
15
5
1.0
0.2
15
5
I
SB4
Full Standby Current
(One Port -
CMOS Level Inputs)
CE
"A"
< 0.2V and
CE
"B"
> V
- 0.2V
(5)
SEM
R
=
SEM
L
> V
CC
-0.2V
V
IN
> V
CC
- 0.2V or V
IN
< 0.2V
Active Port Outputs Open,
f = f
MAX
(3)
COML
S
L
65
60
100
85
65
60
100
85
mA
MIL &
IND
S
L
65
60
115
100
65
60
115
100
2944 tbl 09b
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V25L20J HIGH-SPEED 3.3V 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V25L35PFI HIGH-SPEED 3.3V 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V25L55PFI HIGH-SPEED 3.3V 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V25S35PFI HIGH-SPEED 3.3V 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V25L15PF HIGH-SPEED 3.3V 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
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參數(shù)描述
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IDT70V25L20J8 功能描述:IC SRAM 128KBIT 20NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70V25L20JI 功能描述:IC SRAM 128KBIT 20NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V25L20JI8 功能描述:IC SRAM 128KBIT 20NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70V25L20PF 功能描述:IC SRAM 128KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
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