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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT70V25L25G |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 8K X 16 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, CPGA84 |
| 封裝： | 1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, CERAMIC, PGA-84 |
| 文件頁數(shù)： | 5/17頁 |
| 文件大?。?/td> | 276K |
| 代理商： | IDT70V25L25G |
6.39
5
IDT70V25S/L
HIGH-SPEED 3.3V 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
COMMERCIAL TEMPERATURE RANGE
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS OVER THE
OPERATING TEMPERATURE AND SUPPLY VOLTAGE RANGE
(1)
(V
CC
= 3.3V
±
0.3V)
70V25X25
70V25X35
70V25X55
Test
Symbol
I
CC
Parameter
Dynamic Operating
Current
(Both Ports Active)
Condition
Version
COM’L. S
Typ.
(2)
80
80
Max.
170
120
Typ.
(2)
70
70
Max.
115
100
Typ.
(2)
70
70
Max. Unit
115
100
CE
= V
IL
, Outputs Open
SEM
= V
IH
f = f
MAX(3)
mA
L
I
SB1
Standby Current
(Both Ports — TTL
Level Inputs)
CE
R
=
CE
L
= V
IH
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
f = f
MAX(3)
COM’L. S
12
10
25
20
10
8
25
20
10
8
25
20
mA
L
I
SB2
Standby Current
(One Port — TTL
Level Inputs)
CE
L
or
CE
R
= V
IH(5)
Active Port Outputs Open
f = f
MAX(3)
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
COM’L. S
40
40
82
72
35
35
72
62
35
35
72
62
mA
L
I
SB3
Full Standby Current Both Ports
CE
L
and
(Both Ports — All
CMOS Level Inputs)
COM’L. S
1.0
0.2
5
1.0
0.2
5
1.0
0.2
5
mA
CE
R
≥
V
CC
- 0.2V
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V or
V
IN
≤
0.2V, f = 0
(4)
SEM
R
=
SEM
L
≥
V
CC
- 0.2V
L
2.5
2.5
2.5
I
SB4
Full Standby Current One Port
CE
L
or
(One Port — All
CMOS Level Inputs)
COM’L. S
50
50
81
71
45
45
71
61
45
45
71
61
mA
CE
R
≥
V
CC
- 0.2V
(5)
SEM
R
=
SEM
L
≥
V
CC
- 0.2V
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V or
V
IN
≤
0.2V
Active Port Outputs Open,
f = f
MAX(3)
L
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS OVER THE
OPERATING TEMPERATURE AND SUPPLY VOLTAGE RANGE
(V
CC
= 3.3V
±
0.3V)
IDT70V25S
Min.
—
IDT70V25L
Min.
—
Symbol
|I
LI
|
Parameter
Test Conditions
V
CC
= 3.6V, V
IN
= 0V to V
CC
Max.
10
Max.
5
Unit
μ
A
μ
A
V
V
Input Leakage Current
(1)
|I
LO
|
V
OL
V
OH
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V to V
CC
I
OL
= 4mA
I
OH
= -4mA
—
—
2.4
10
0.4
—
—
—
2.4
5
0.4
—
2944 tbl 08
NOTE:
1. At Vcc
≤
2.0V input leakages are undefined.
NOTES:
1. "X" in part numbers indicates power rating (S or L).
2. V
CC
= 5V, T
A
= +25
°
C, and are not production tested. Icc dc
=
70mA (typ.)
3. At f = f
MAX
,
address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency read cycle of 1/ t
RC
, and using “AC Test Conditions”
of input levels of GND to 3V.
4. f = 0 means no address or control lines change.
5. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".
2683 tbl 09
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V25L25J | HIGH-SPEED 3.3V 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V25L25PF | HIGH-SPEED 3.3V 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V25L | HIGH-SPEED 3.3V 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V25S | HIGH-SPEED 3.3V 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V25S55G | HIGH-SPEED 3.3V 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70V25L25J | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 25NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT70V25L25J8 | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 25NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT70V25L25PF | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT70V25L25PF8 | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT70V25L25PFGI | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 25NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR |
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