參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70V25L35G
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 3.3V 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述： 8K X 16 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, CPGA84
封裝： 1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, CERAMIC, PGA-84
文件頁數(shù)： 6/17頁
文件大小： 276K
代理商： IDT70V25L35G
6.39
6
IDT70V25S/L
HIGH-SPEED 3.3V 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
COMMERCIAL TEMPERATURE RANGE
AC TEST CONDITIONS
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
5ns Max.
1.5V
1.5V
Figures 1 and 2
2944 tbl 11
2944 drw 05
590
30pF
435
3.3V
DATA
OUT
BUSY
INT
590
5pF
435
3.3V
DATA
OUT
Figure 1. AC Output Load
Figure 2. Output Test Load
(For t
LZ
, t
HZ
, t
WZ
, t
OW
)
Including scope and jig.
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS OVER THE
OPERATING TEMPERATURE AND SUPPLY VOLTAGE RANGE
(4)
IDT70V25X25
Min.
IDT70V25X35
Min.
IDT70V25X55
Min.
Symbol
READ CYCLE
t
RC
t
AA
t
ACE
t
ABE
t
AOE
t
OH
Parameter
Max.
Max.
Max.
Unit
Read Cycle Time
Address Access Time
Chip Enable Access Time
(3)
Byte Enable Access Time
(3)
Output Enable Access Time
Output Hold from Address Change
Output Low-Z Time
(1, 2)
Output High-Z Time
(1, 2)
Chip Enable to Power Up Time
(2)
Chip Disable to Power Down Time
(2)
Semaphore Flag Update Pulse (
OE
or
SEM
)
25
—
—
—
—
3
—
25
25
25
15
—
35
—
—
—
—
3
—
35
35
35
20
—
55
—
—
—
—
3
—
55
55
55
30
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
LZ
t
HZ
3
—
—
15
3
—
—
20
3
—
—
25
ns
ns
t
PU
0
—
0
—
0
—
ns
t
PD
t
SOP
—
15
25
—
—
15
55
—
—
15
50
—
ns
ns
t
SAA
Semaphore Address Access Time
—
35
—
45
—
65
ns
NOTES:
1. Transition is measured
±
500mV from Low or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. To access RAM,
CE
= V
IL,
UB
or
LB
= V
IL, and
SEM
= V
IH.
To access semephore,
CE
= V
IH or
UB
&
LB
= V
IH, and
SEM
= V
IL.
4. "X" in part numbers indicates power rating (S or L).
2944 tbl 12
TIMING OF POWER-UP POWER-DOWN
CE
2944 drw 06
t
PU
I
CC
I
SB
t
PD
50%
50%
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V25L55G HIGH-SPEED 3.3V 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V25S25J HIGH-SPEED 3.3V 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V25S25PF HIGH-SPEED 3.3V 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V25S35G Hazard Warning Lamp
IDT70V25S35J HIGH-SPEED 3.3V 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70V25L35J 功能描述:IC SRAM 128KBIT 35NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70V25L35J8 功能描述:IC SRAM 128KBIT 35NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70V25L35PF 功能描述:IC SRAM 128KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70V25L35PF8 功能描述:IC SRAM 128KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70V25L55G 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 84PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
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