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參數(shù)資料
| 型號： | IDT70V25S20PF |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 8K X 16 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 10/22頁 |
| 文件大小： | 186K |
| 代理商： | IDT70V25S20PF |
6.42
IDT70V25S/L
High-Speed 8K x 16 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
10
9%0:%
0$+.12
5
NOTES:
1. Transition is measured 0mV fromLow or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
2.
This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3.
To access SRAM
CE
= V
IL
,
UB
or
LB
= V
IL
,
SEM
= V
IH
. To access semaphore,
CE
= V
IH
or
UB
&
LB
= V
IH
,
and
SEM
= V
IL
. Either condition must be valid for the entire
t
EW
time.
4.
The specification for t
DH
must be met by the device supplying write data to the SRAMunder all operating conditions. Although t
DH
and t
OW
values will vary over voltage and
temperature, the actual t
DH
will always be smaller than the actual t
OW
.
5. 'X' in part number indicates power rating (S or L).
Symbol
Parameter
70V25X15
Coml Only
70V25X20
Coml
& Ind
70V25X25
Coml
& Ind
Unit
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Mn.
Max.
WRITE CYCLE
t
WC
Write Cycle Time
15
____
20
____
25
____
ns
t
EW
Chip Enable to End-of-Write
(3)
12
____
15
____
20
____
ns
t
AW
Address Valid to End-of-Write
12
____
15
____
20
____
ns
t
AS
Address Set-up Time
(3)
0
____
0
____
0
____
ns
t
WP
Write Pulse Width
12
____
15
____
20
____
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
____
0
____
0
____
ns
t
DW
Data Valid to End-of-Write
10
____
15
____
15
____
ns
t
HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
10
____
12
____
15
ns
t
DH
Data Hold Time
(4)
0
____
0
____
0
____
ns
t
WZ
Write Enable to Output in High-Z
(1,2)
____
10
____
12
____
15
ns
t
OW
Output Active fromEnd-of-Write
(1,2,4)
0
____
0
____
0
____
ns
t
SWRD
SEM
Flag Write to Read Time
5
____
5
____
5
____
ns
t
SPS
SEM
Flag Contention Window
5
____
5
____
5
____
ns
2944 tbl 12a
Symbol
Parameter
70V25X35
Coml
& Ind
70V25X55
Coml
& Ind
Unit
Mn.
Max.
Mn.
Max.
WRITE CYCLE
t
WC
Write Cycle Time
35
____
55
____
ns
t
EW
Chip Enable to End-of-Write
(3)
30
____
45
____
ns
t
AW
Address Valid to End-of-Write
30
____
45
____
ns
t
AS
Address Set-up Time
(3)
0
____
0
____
ns
t
WP
Write Pulse Width
25
____
40
____
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
____
0
____
ns
t
DW
Data Valid to End-of-Write
15
____
30
____
ns
t
HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
15
____
25
ns
t
DH
Data Hold Time
(4)
0
____
0
____
ns
t
WZ
Write Enable to Output in High-Z
(1,2)
____
15
____
25
ns
t
OW
Output Active fromEnd-of-Write
(1,2,4)
0
____
0
____
ns
t
SWRD
SEM
Flag Write to Read Time
5
____
5
____
ns
t
SPS
SEM
Flag Contention Window
5
____
5
____
ns
2944 tbl 12b
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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