參數(shù)資料
型號： IDT70V25S25J
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 3.3V 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述： 8K X 16 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQCC84
封裝： 1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-84
文件頁數(shù)： 5/17頁
文件大?。?/td> 276K
代理商： IDT70V25S25J
6.39
5
IDT70V25S/L
HIGH-SPEED 3.3V 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
COMMERCIAL TEMPERATURE RANGE
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS OVER THE
OPERATING TEMPERATURE AND SUPPLY VOLTAGE RANGE
(1)
(V
CC
= 3.3V
±
0.3V)
70V25X25
70V25X35
70V25X55
Test
Symbol
I
CC
Parameter
Dynamic Operating
Current
(Both Ports Active)
Condition
Version
COM’L. S
Typ.
(2)
80
80
Max.
170
120
Typ.
(2)
70
70
Max.
115
100
Typ.
(2)
70
70
Max. Unit
115
100
CE
= V
IL
, Outputs Open
SEM
= V
IH
f = f
MAX(3)
mA
L
I
SB1
Standby Current
(Both Ports — TTL
Level Inputs)
CE
R
=
CE
L
= V
IH
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
f = f
MAX(3)
COM’L. S
12
10
25
20
10
8
25
20
10
8
25
20
mA
L
I
SB2
Standby Current
(One Port — TTL
Level Inputs)
CE
L
or
CE
R
= V
IH(5)
Active Port Outputs Open
f = f
MAX(3)
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
COM’L. S
40
40
82
72
35
35
72
62
35
35
72
62
mA
L
I
SB3
Full Standby Current Both Ports
CE
L
and
(Both Ports — All
CMOS Level Inputs)
COM’L. S
1.0
0.2
5
1.0
0.2
5
1.0
0.2
5
mA
CE
R
≥
V
CC
- 0.2V
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V or
V
IN
≤
0.2V, f = 0
(4)
SEM
R
=
SEM
L
≥
V
CC
- 0.2V
L
2.5
2.5
2.5
I
SB4
Full Standby Current One Port
CE
L
or
(One Port — All
CMOS Level Inputs)
COM’L. S
50
50
81
71
45
45
71
61
45
45
71
61
mA
CE
R
≥
V
CC
- 0.2V
(5)
SEM
R
=
SEM
L
≥
V
CC
- 0.2V
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V or
V
IN
≤
0.2V
Active Port Outputs Open,
f = f
MAX(3)
L
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS OVER THE
OPERATING TEMPERATURE AND SUPPLY VOLTAGE RANGE
(V
CC
= 3.3V
±
0.3V)
IDT70V25S
Min.
—
IDT70V25L
Min.
—
Symbol
|I
LI
|
Parameter
Test Conditions
V
CC
= 3.6V, V
IN
= 0V to V
CC
Max.
10
Max.
5
Unit
μ
A
μ
A
V
V
Input Leakage Current
(1)
|I
LO
|
V
OL
V
OH
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V to V
CC
I
OL
= 4mA
I
OH
= -4mA
—
—
2.4
10
0.4
—
—
—
2.4
5
0.4
—
2944 tbl 08
NOTE:
1. At Vcc
≤
2.0V input leakages are undefined.
NOTES:
1. "X" in part numbers indicates power rating (S or L).
2. V
CC
= 5V, T
A
= +25
°
C, and are not production tested. Icc dc
=
70mA (typ.)
3. At f = f
MAX
,
address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency read cycle of 1/ t
RC
, and using “AC Test Conditions”
of input levels of GND to 3V.
4. f = 0 means no address or control lines change.
5. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".
2683 tbl 09
相關PDF資料
PDF描述
IDT70V25S25PF HIGH-SPEED 3.3V 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V25S35G Hazard Warning Lamp
IDT70V25S35J HIGH-SPEED 3.3V 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V25L35J HIGH-SPEED 3.3V 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V25L35PF HIGH-SPEED 3.3V 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
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IDT70V25S25PFGI 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 128KBIT 25NS 100TQFP
IDT70V25S25PFGI8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 128KBIT 25NS 100TQFP
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