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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT70V25S25PFI |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 8K X 16 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 9/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 186K |
| 代理商： | IDT70V25S25PFI |
6.42
IDT70V25S/L
High-Speed 8K x 16 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
-:*+1
5
NOTES:
1. Timng depends on which signal is asserted last,
OE
,
CE
,
LB
, or
UB
.
2. Timng depends on which signal is de-asserted first,
CE
,
OE
,
LB
, or
UB
.
3. t
BDD
delay is required only in case where opposite port is completing a write operation to the same address location for simultaneous read operations
BUSY
has no
relation to valid output data.
4. Start of valid data depends on which timng becomes effective last t
ABE
,
t
AOE
,
t
ACE
,
t
AA
or t
BDD
.
5.
SEM
= V
IH
.
t
RC
R/
W
CE
ADDR
t
AA
t
ACE
OE
UB
,
LB
2944 drw 07
(4)
(4)
t
AOE
(4)
t
ABE
(4)
(1)
t
LZ
t
OH
(2)
t
HZ
(3,4)
t
BDD
DATA
OUT
BUSY
OUT
VALID DATA
(4)
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PDF描述 |
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