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參數資料
| 型號： | IDT70V25S35J |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 8K X 16 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQCC84 |
| 封裝： | 1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-84 |
| 文件頁數： | 11/17頁 |
| 文件大?。?/td> | 276K |
| 代理商： | IDT70V25S35J |
6.39
11
IDT70V25S/L
HIGH-SPEED 3.3V 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
COMMERCIAL TEMPERATURE RANGE
TIMING WAVEFORM OF WRITE WITH
BUSY
WAVEFORM OF BUSY ARBITRATION CONTROLLED BY
CE
TIMING
(M/
S
= V
IH
)
(1)
2944 drw 14
ADDR
"A"
and
"B"
ADDRESSES MATCH
CE
"A"
CE
"B"
BUSY
"B"
t
APS
t
BAC
t
BDC
(2)
WAVEFORM OF BUSY ARBITRATION CYCLE CONTROLLED BY ADDRESS MATCH TIMING
(M/
S
= V
IH
)
(1)
NOTES:
1. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either the left or right port. Port “B” is the port opposite from “A”.
2. If t
APS
is not satisfied, the busy signal will be asserted on one side or another but there is no guarantee on which side busy will be asserted.
2944 drw 15
ADDR
"A"
ADDRESS "N"
ADDR
"B"
BUSY
"B"
t
APS
t
BAA
t
BDA
(2)
MATCHING ADDRESS "N"
2944 drw 13
R/
W
"A"
BUSY
"B"
t
WP
t
WB
R/
W
"B"
t
WH
(2)
(3)
(1)
NOTES:
1. t
WH
must be met for both
BUSY
input (slave) output master.
2. Busy is asserted on port "B" Blocking R/
W
"B"
, until
BUSY
"B"
goes High.
3. t
WB
is only for the slave version.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V25L35J | HIGH-SPEED 3.3V 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V25L35PF | HIGH-SPEED 3.3V 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V25L55J | HIGH-SPEED 3.3V 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V25L55PF | HIGH-SPEED 3.3V 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V25S35PF | HIGH-SPEED 3.3V 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IDT70V25S35J8 | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 35NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT70V25S35PF | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT70V25S35PF8 | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT70V25S35PFG | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 128KBIT 35NS 100TQFP |
| IDT70V25S55G | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 84PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
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