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參數(shù)資料
| 型號： | IDT70V261L |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 高速3.3 16K的× 16 DUAL-PORT靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 2/17頁 |
| 文件大小： | 153K |
| 代理商： | IDT70V261L |
6.42
IDT70V261S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM with Interrupt Industrial and Commercial Temperature Ranges
The IDT70V261 is a high-speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM The
IDT70V261 is designed to be used as a stand-alone 256K-bit Dual-Port
RAMor as a combination MASTER/SLAVE Dual-Port RAMfor 32-bit-or-
more word systems. Using the IDT MASTER/SLAVE Dual-Port RAM
approach in 32-bit or wider memory systemapplications results in full-
speed, error-free operation without the need for additional discrete logic.
This device provides two independent ports with separate control,
address, and I/O pins that permt independent, asynchronous access for
reads or writes to any location in memory. An automatic power down
feature controlled by
CE
permts the on-chip circuitry of each port to enter
a very low standby power mode.
Fabricated using IDT’s CMOS high-performance technology, these
devices typically operate on only 300mW of power.
The IDT70V261 is packaged in a 100-pin Thin Quad Flatpack.
NOTES:
1. All V
CC
pins must be connected to power supply.
2. All GND pins must be connected to ground supply.
3. Package body is approximately 14mmx 14mmx 1.4mm
4. This package code is used to reference the package diagram
5. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
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Index
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100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81 80 79 78 77 76
N/C
N/C
N/C
N/C
I/O
10L
I/O
11L
I/O
12L
I/O
13L
GND
I/O
14L
I/O
15L
V
CC
GND
I/O
0R
I/O
1R
I/O
2R
V
CC
I/O
3R
I/O
4R
I/O
5R
I/O
6R
N/C
N/C
N/C
N/C
3040 drw 02
N/C
N/C
N/C
A
6L
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
INT
L
BUSY
L
GND
M/S
BUSY
R
INT
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
N/C
N/C
N/C
I
9
I
8
I
7
I
6
I
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I
4
I
3
I
2
G
I
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I
0
O
L
V
C
R
L
S
L
C
L
U
L
L
L
A
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A
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A
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7
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I
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I
1
I
1
I
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G
I
1
O
R
R
R
S
R
C
R
U
R
L
R
G
A
1
A
1
A
1
A
9
A
8
A
7
A
6
A
1
A
1
IDT70V261PF
PN100-1
100-Pin TQFP
Top View
A
9
A
8
A
7
,
12/11/01
Left Port
Right Port
Names
CE
L
CE
R
Chip Enable
R/
W
L
R/
W
R
Read/Write Enable
OE
L
OE
R
Output Enable
A
0L
- A
13L
A
0R
- A
13R
Address
I/O
0L
- I/O
15L
I/O
0R
- I/O
15R
Data Input/Output
SEM
L
SEM
R
Semaphore Enable
UB
L
UB
R
Upper Byte Select
LB
L
LB
R
Lower Byte Select
BUSY
L
BUSY
R
Busy Flag
M/
S
Master or Slave Select
V
CC
Power
GND
Ground
3040 tbl 01
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V261L25PF | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V261L25PFI | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V261L35PF | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V261L35PFI | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IDT70V261L25PF8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT70V261L25PFG | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70V261L25PFG8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT70V261L25PFGI | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
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