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參數(shù)資料
| 型號： | IDT70V261S25PFI |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 16K X 16 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQFP100 |
| 封裝： | PLASTIC, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 3/17頁 |
| 文件大小： | 153K |
| 代理商： | IDT70V261S25PFI |
6.42
IDT70V261S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM with Interrupt Industrial and Commercial Temperature Ranges
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!
"#"$%&+()*
NOTE:
1.
A
0L
—
A
13L
≠
A
0R
—
A
13R
NOTE:
1.
There are eight semaphore flags written to via I/O
0
and read fromall I/O's (I/O
0
-I/O
15
). These eight semaphores are addressed by A
0
-A
2
.
Inputs
(1)
Outputs
Mode
CE
R/
W
OE
UB
LB
SEM
I/O
8-15
I/O
0-7
H
X
X
X
X
H
High-Z
High-Z
Deselected: Power-Down
X
X
X
H
H
H
High-Z
High-Z
Both Bytes Deselected: Power-Down
L
L
X
L
H
H
DATA
IN
High-Z
Write to Upper Byte Only
L
L
X
H
L
H
High-Z
DATA
IN
Write to Lower Byte Only
L
L
X
L
L
H
DATA
IN
DATA
IN
Write to Both Bytes
L
H
L
L
H
H
DATA
OUT
High-Z
Read Upper Byte Only
L
H
L
H
L
H
High-Z
DATA
OUT
Read Lower Byte Only
L
H
L
L
L
H
DATA
OUT
DATA
OUT
Read Both Bytes
X
X
H
X
X
X
High-Z
High-Z
Outputs Disabled
3040 tbl 02
Inputs
(1)
Outputs
Mode
CE
R/
W
OE
UB
LB
SEM
I/O
8-15
I/O
0-7
H
H
L
X
X
L
DATA
OUT
DATA
OUT
Read Data in Semaphore Flag
X
H
L
H
H
L
DATA
OUT
DATA
OUT
Read Data in Semaphore Flag
H
↑
X
X
X
L
DATA
IN
DATA
IN
Write I/O
0
into Semaphore Flag
X
↑
X
H
H
L
DATA
IN
DATA
IN
Write I/O
0
into Semaphore Flag
L
X
X
L
X
L
____
____
Not Allowed
L
X
X
X
L
L
____
____
Not Allowed
3040 tbl 03
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V261S35PF | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V261S35PFI | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V261S55PF | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V261S55PFI | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V26L25G | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70V261S35PF | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V261S35PF8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT70V261S35PFG | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 100TQFP |
| IDT70V261S35PFG8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 100TQFP |
| IDT70V261S55PF | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 55NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
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