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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT70V261S55PFI |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 高速3.3 16K的× 16 DUAL-PORT靜態(tài)RAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 12/17頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 153K |
| 代理商： | IDT70V261S55PFI |
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6.42
IDT70V261S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM with Interrupt Industrial and Commercial Temperature Ranges
12
NOTES:
1. 'X' in part number indicates power rating (S or L).
NOTES:
1. All timng is the same for left and right ports. Port
“
A
”
may be either the left or right port. Port
“
B
”
is the port opposite from
“
A
”
.
2. See Interrupt Truth Table III.
3. Timng depends on which enable signal is asserted last.
4. Timng depends on which enable signal is de-asserted first.
3#,-#
,"('./
!
*-%"
!
70V261X25
Com'l
& Ind
70V261X35
Com'l Only
70V261X55
Com'l Only
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
INTERRUPT TIMING
t
AS
Address Set-up Time
0
____
0
____
0
____
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
____
0
____
0
____
ns
t
INS
Interrupt Set Time
____
25
____
30
____
40
ns
t
INR
Interrupt Reset Time
____
30
____
35
____
45
ns
3040 tbl 14
3040 drw 15
ADDR
"A"
INTERRUPT SET ADDRESS
CE
"A"
R/
W
"A"
t
AS
t
WC
t
WR
(3)
(4)
t
INS
(3)
INT
"B"
(2)
3040 drw 16
ADDR
"B"
INTERRUPT CLEAR ADDRESS
CE
"B"
OE
"B"
t
AS
t
RC
(3)
t
INR
(3)
INT
"B"
(2)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V26L25G | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V26L25GI | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V26L25J | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V26L25JI | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70V26L25G | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 84PGA |
| IDT70V26L25J | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V26L25J8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V26L25JI | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V26L25JI8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
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