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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT70V26L25JI |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 16K X 16 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQCC84 |
| 封裝： | PLASTIC, LCC-84 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/17頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 144K |
| 代理商： | IDT70V26L25JI |
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6.42
IDT70V26S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
/&01*
Symbol
!
012$
+)34
Grade
!
*++2
+
Symbol
!
!
$
/
56785#09:!
%2;%2
$+)34*
4
5 # 4<# 4!
NOTES:
1.
Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUMRATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at these or any other conditions above those indicated in
the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximumrating conditions for extended periods may affect reliability.
V
TERM
must not exceed Vcc + 0.3V for more than 25% of the cycle time or 10ns
maximum and is limted to < 20mA for the period of V
TERM
> Vcc + 0.3V.
2.
NOTES:
1. This is the parameter T
A
. This is the "instant on" case temperature.
2.
Industrial temperature: for specific speeds, packages and powers contact your
sales office.
NOTES:
1.
2.
V
IL
> -1.5V for pulse width less than 10ns.
V
TERM
must not exceed Vcc + 0.3V.
NOTES:
1.
This parameter is determned by device characterization but is not production
tested.
3dV represents the interpolated capacitance when the input and output signals
switch from0V to 3V or from3V to 0V.
2.
NOTE:
1.
At V
CC
< 2.0V, input leakages are undefined.
Rating
Commercial
& Industrial
Unit
V
TERM
(2)
Termnal Voltage
with Respect
to GND
-0.5 to +4.6
V
T
BIAS
Temperature
Under Bias
-55 to +125
o
C
T
STG
Storage
Temperature
-65 to +150
o
C
I
OUT
DC Output
Current
50
mA
2945 tbl 04
Ambient Temperature
GND
Vcc
Commercial
0
O
C to +70
O
C
0V
3.3V
+
0.3
Industrial
-40
O
C to +85
O
C
0V
3.3V
+
0.3
2945 tbl 05
Parameter
Mn.
Typ.
Max.
Unit
V
CC
Supply Voltage
3.0
3.3
3.6
V
GND
Ground
0
0
0
V
V
IH
Input High Voltage
2.0
____
V
CC
+ 0.3
(2)
V
V
IL
Input LowVoltage
-0.3
(1)
____
0.8
V
2945 tbl 06
Symbol
Parameter
Conditions
(2)
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 3dV
9
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 3dV
10
pF
2945 tbl 07
Symbol
Parameter
Test Conditions
70V26S
70V26L
Unit
Mn.
Max.
Mn.
Max.
|
LI
|
Input Leakage Current
(1)
V
CC
= 3.6V, V
IN
= 0V to V
CC
___
10
___
5
μA
|
LO
|
Output Leakage Current
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V to V
CC
___
10
___
5
μA
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= +4mA
___
0.4
___
0.4
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= -4mA
2.4
___
2.4
___
V
2945 tbl 08
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V26L35G | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V26L35GI | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V26L35J | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V26L35JI | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V26L55G | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IDT70V26L35J | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
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