參數(shù)資料
型號: IDT70V26S
廠商: Integrated Device Technology, Inc.
英文描述: HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述: 高速3.3 16K的× 16 DUAL-PORT靜態(tài)RAM
文件頁數(shù): 12/17頁
文件大?。?/td> 144K
代理商: IDT70V26S
6.42
IDT70V26S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
BUSY
$-;-%
NOTES:
1. All timng is the same for left and right ports. Port
A
may be either the left or right port. Port
B
is the port opposite fromport
A
.
2. If t
APS
is not satisfied, the
BUSY
signal will be asserted on one side or the other, but there is no guarantee on which side
BUSY
will be asserted.
-;
BUSY
/&+&3
CE
$
!
NOTES:
1. t
WH
must be met for both
BUSY
input (SLAVE) and output (MASTER).
2.
BUSY
is asserted on port "B" blocking R/
W
"B"
, until
BUSY
"B"
goes HIGH.
-;
BUSY
/&3+&3/++0%$
!
2945 drw 13
R/
W
"A"
BUSY
"B"
t
WP
t
WB
R/
W
"B"
t
WH
(1)
(2)
2945 drw 14
ADDR
"A"
and
"B"
ADDRESSES MATCH
CE
"A"
CE
"B"
BUSY
"B"
t
APS
t
BAC
t
BDC
(2)
2945 drw 15
ADDR
"A"
ADDRESS "N"
ADDR
"B"
BUSY
"B"
t
APS
t
BAA
t
BDA
(2)
MATCHING ADDRESS "N"
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IDT70V26S35G 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 84PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
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