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參數(shù)資料
| 型號： | IDT70V27L25BFI |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 32K X 16 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PBGA144 |
| 封裝： | 12 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-144 |
| 文件頁數(shù)： | 8/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 192K |
| 代理商： | IDT70V27L25BFI |
Commercial and Industrial Temperature Range
IDT 70V27S/L
High-Speed 3.3V 32K x 16 Dual-Port Static RAM
8
'-
Figure 1. AC Output Test Load
3603 drw 04
590
30pF
435
3.3V
DATA
OUT
BUSY
INT
590
5pF*
435
3.3V
DATA
OUT
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timng Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
5ns Max.
1.5V
1.5V
Figures 1 and 2
3603 tbl 11
Figure 2. Output Test Load
(for t
LZ
, t
HZ
, t
WZ
, t
OW
)
*Including scope and jig.
0(8:(8
'-1;<
!"@"A$
!<
2#&#<=&#<$
NOTES:
1. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
2. V
CC
= 3.3V, T
A
= +25
°
C, and are not production tested. I
CCDC
= 90mA (Typ.)
3. At f = f
MAX
,
address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximumfrequency read cycle of 1/t
RC,
and using
“
AC Test Conditions
”
of input
levels of GND to 3V.
4. f = 0 means no address or control lines change.
5. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite fromport "A".
6. Refer to Chip Enable Truth Table.
7. Industrial temperature: for other speeds, packages and powers contact your sales office.
70V27X35
Com'l & Ind
70V27X55
Com'l Only
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ.
(2)
Max.
Typ.
(2)
Max.
Unit
I
CC
Dynamc Operating Current
(Both Ports Active)
CE
= V
IL
, Outputs Disabled
SEM
= V
IH
f = f
MAX
(3)
COML
S
L
135
135
235
190
125
125
225
180
mA
IND'L
S
L
135
135
270
235
125
125
260
225
I
SB1
Standby Current
(Both Ports - TTL Level
Inputs)
CE
L
=
CE
R
= V
IH
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
f = f
MAX
(3)
COML
S
L
22
22
45
35
15
15
40
30
mA
IND'L
S
L
22
22
55
45
15
15
50
40
I
SB2
Standby Current
(One Port - TTL Level
Inputs)
CE
"A"
= V
IL
and
CE
"B"
= V
IH
(5)
Active Port Outputs Disabled,
f=f
MAX
(3)
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
COML
S
L
85
85
140
125
75
75
140
125
mA
IND'L
S
L
85
85
160
140
75
75
160
140
I
SB3
Full Standby Current (Both
Ports - All CMOS Level
Inputs)
Both Ports
CE
L
and
CE
R
> V
CC
- 0.2V
V
IN
> V
CC
- 0.2V or
V
IN
< 0.2V, f = 0
(4)
SEM
R
=
SEM
L
> V
CC
- 0.2V
COML
S
L
1.0
0.2
6
3
1.0
0.2
6
3
mA
IND'L
S
L
1.0
0.2
10
6
1.0
0.2
10
6
I
SB4
Full Standby Current
(One Port - All CMOS
Level Inputs)
CE
"A"
< 0.2V and
CE
"B"
> V
CC
- 0.2V
(5)
SEM
R
=
SEM
L
> V
CC
- 0.2V
V
IN
> V
CC
- 0.2V or V
IN
< 0.2V
Active Port Outputs Disabled
f = f
MAX
(3)
COML
S
L
85
85
135
120
75
75
135
120
mA
IND'L
S
L
85
85
160
135
75
75
160
135
3603 tbl 10b
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| IDT70V27L35PFI | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
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